[发明专利]包括接触插塞的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，设置有多个有源区；

隔离层，在所述半导体衬底上限定所述多个有源区中的每个有源区；

多个栅极沟槽，与所述多个有源区相交，并且延伸到所述隔离层；

多个栅极结构，分别填充所述多个栅极沟槽，并且在平行于所述半导体衬底的上表面的第一方向上延伸；

绝缘阻挡结构，设置在所述多个有源区、所述隔离层和所述多个栅极结构上；

位线，在垂直于所述第一方向并且平行于所述半导体衬底的上表面的第二方向上延伸，并且设置在比设置所述绝缘阻挡结构的高度高的高度处；以及

多个第一接触插塞，每个第一接触插塞在所述位线和所述多个有源区中对应的有源区的第一部分之间，

其中，所述绝缘阻挡结构包括：

多个第一阻挡图案，彼此平行，与所述多个栅极结构重叠，并且在所述第一方向上延伸；以及

多个第二阻挡图案，彼此平行并在所述第一方向和所述第二方向之间的第一对角线方向上延伸，所述第一对角线方向平行于所述半导体衬底的上表面，并且

其中，所述多个第一接触插塞中的每个第一接触插塞设置在由所述多个第一阻挡图案中对应的一对第一阻挡图案和所述多个第二阻挡图案中对应的一对第二阻挡图案限定的区域中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述多个有源区中的每个有源区在所述第一方向和所述第二方向之间的第二对角线方向上延伸，所述第二对角线方向平行于所述半导体衬底的上表面；

所述第一对角线方向与所述第一方向之间的角为第一锐角；并且

所述第二对角线方向与所述第一方向之间的角为大于所述第一锐角的第二锐角。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一对角线方向与所述第二对角线方向之间的角为第三锐角；并且

所述第三锐角小于所述第二锐角。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第一锐角大于所述第三锐角。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述多个第一接触插塞中的每个第一接触插塞具有彼此相对的一对第一侧表面、彼此相对的一对第二侧表面以及彼此相对的一对第三侧表面；

所述一对第一侧表面基本上平行于所述多个第一阻挡图案中对应的一对第一阻挡图案的侧表面；

所述一对第二侧表面基本上平行于所述多个第二阻挡图案中对应的一对第二阻挡图案的侧表面；并且

所述一对第三侧表面基本上平行于所述位线的侧表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述多个第一接触插塞中的每个第一接触插塞的所述一对第一侧表面和所述一对第二侧表面在与所述多个有源区中对应的有源区重叠的区域处彼此连接；并且

所述多个第一接触插塞中的每个第一接触插塞的所述一对第二侧表面和所述一对第三侧表面在与所述隔离层重叠的区域处彼此连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述多个第一阻挡图案中的每个第一阻挡图案具有第一厚度；并且

所述多个第二阻挡图案中的每个第二阻挡图案具有不同于所述第一厚度的第二厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述多个第一阻挡图案中的每个第一阻挡图案具有第一上表面和第一下表面；并且

所述多个第二阻挡图案中的每个第二阻挡图案具有第二上表面和第二下表面，所述第二上表面设置在比所述第一上表面的高度高的高度处，所述第二下表面设置在比所述第一下表面的高度低的高度处。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个第二阻挡图案中的每个第二阻挡图案具有穿过所述多个第一阻挡图案并且在所述第一对角线方向上延伸的线形。