[发明专利]磁控管靶联接器和支承设备

说明书

涉及一种磁控管靶联接器和支承设备。根据各种实施方式，磁控管靶联接器(301)包括：靶联接器法兰(702)；轴(808)，该轴在端侧与靶联接器法兰(702)刚性联接，并且在与靶联接器法兰(702)相对置的一侧上具有第一线性支承件部件(8081)；通信接口(704)，该通信接口具有相互电耦联的第一通信电极(704a)和第二通信电极(704b)；其中第二通信电极(704b)在与轴(808)相对置的一侧上刚性地固定在靶联接器法兰(702)处，其中靶联接器法兰(702)设置在第一通信电极(704a)和第二通信电极之间(704b)；其中第一通信电极(704a)被支承，使得其朝向第二通信电极(704b)位移和/或远离其位移。

技术领域

各种实施例涉及磁控管靶联接器和支承设备。

背景技术

一般而言，工件或基板可以被工艺处理，例如机加工、覆层、加热、蚀刻和/或结构改变。用于对基板覆层的方法例如是阴极原子化(所谓的溅射)，阴极原子化是物理气相沉积(PVD)类型的。例如，一个或多个层可以借助于溅射(即通过溅射工艺)沉积在基板上。为此，可以借助于阴极将形成等离子体的气体离子化，其中可以借助于在此形成的等离子体将待沉积的材料(靶材料)原子化。然后可以将原子化的靶材料引导至基板，靶材料可以在基板处沉积并且形成层。

对阴极原子化的修改是借助于磁控管进行溅射，即所谓的磁控溅射，或所谓的反应磁控溅射。在此，可以借助于磁场来支持等离子体的形成。磁场可以由磁体系统产生并且穿透阴极(也称为磁控管阴极)，使得在靶材料表面(靶表面)处可以构成环形等离子体通道，即所谓的轨道，在该等离子体通道中可以形成等离子体。

等离子体的空间分布和与之相关的原子化速率非常敏感地取决于磁场的空间分布。因此，磁体系统对于各种工艺特性，诸如工艺稳定性、再现性、靶利用率和均匀性方面具有特别重要的意义。在此背景下，存在对改进，比如简化磁体系统和/或减少干扰性影响的基本需求。

发明内容

各种实施方式的一个方面可以直观地在于：提供与可调节的磁场的通信。借助对磁场的调节，可以影响靶材料的雾化，例如使得可以进行尽可能均匀的分子化溅射和/或覆层。与之相关，已经直观的认识到：用于通信的、为此使用的部件经受各种干扰，这使与磁体系统的通信或磁场的调节变得困难。

根据各种实施方式，提供呈磁控管靶联接器形式的连续组件，该组件具有轴向可调节的通信接口。通信接口可提供磁体系统与支承设备的通信耦联，使得可以更可靠地操控磁体系统。直观地，轴向可调节的通信接口实现：更好地补偿公差和热膨胀。这减少了与磁体系统的通信的干扰。

可选地，通信接口设计用于与磁体系统或支承设备的非接触式通信，这减少磨损，或避免移动滑动触点。

附图说明

附图示出

图1、图2和图4分别以各种视图示出根据各种实施方式的磁体系统；

图3A、图5和图10分别以不同示意图示出根据各种实施方式的溅射设备，并且图3B示出溅射设备的磁体系统；

图6以示意横截面图示出根据各种实施方式的磁体系统的壳体盖；

图7和图12分别以各种示意图示出根据各种实施方式的磁控管靶联接器；

图8和图13分别以不同的示意图示出根据各种实施方式的通信组件；

图9以示意横截面图示出根据各种实施方式的支承设备；和

图11以示意立体图示出根据各种实施方式的支承设备的转动支承件。

具体实施方式