[发明专利]芯片修调检测电路及其芯片、电子设备

权利要求书

1.芯片修调检测电路，其特征在于，包括：

至少一个基准单元，所述基准单元包括第一MOS管、第二MOS管，以及基准电阻，所述第一MOS管、第二MOS管、基准电阻依次连接形成偏置电路；

N个修调检测单元，每个修调检测单元包括第三MOS管、第四MOS管，以及修调熔丝，所述第三MOS管、第四MOS管、修调熔丝依次连接与所述偏置电路形成镜像电路，所述第三MOS管和第四MOS管之间作为检测节点输出检测信号；

所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一个或多个分别通过开关连接一个或多个第五MOS管；

当芯片进行修调检测时，所述开关置为状态一，当芯片处于工作模式时，所述开关处于状态二；其中，芯片进行修调检测时使所述检测信号翻转的临界值大于芯片处于工作模式时使所述检测信号翻转的临界值。

2.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管以及第三MOS管和第四MOS管互为PMOS管和NMOS管，所述第一MOS管和第三MOS管，以及第二MOS管和第四MOS管同为PMOS管或NMOS管。

3.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，当所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一个通过开关连接一个或多个第五MOS管时，所述开关的状态一和状态二互为闭合和断开。

4.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，所述基准电阻的阻值等于所述修调熔丝熔断前的阻值，或基准电阻的阻值等于所述修调熔丝达到熔断标准的阻值。

5.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，还包括一个反相器，所述反相器与所述检测节点连接，反相器的输出信号作为所述检测信号。

6.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，所述开关置为状态一时，偏置电路和镜像电路的镜像比为K1，所述开关处于状态二时，偏置电路和镜像电路的镜像比为K2，其中，K1≠K2。

7.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，所述第五MOS管通过开关以并联的方式连接。

8.根据权利要求1所述的芯片修调检测电路，其特征在于，所述第五MOS管通过开关连接第一MOS管或第二MOS管。

9.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-8任一项所述的芯片修调检测电路。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9所述的芯片。