[发明专利]芯片修调检测电路及其芯片、电子设备

说明书

本申请涉及一种芯片修调检测电路及其芯片、电子设备，该电路包括至少一个基准单元，基准单元包括第一MOS管、第二MOS管，以及基准电阻，第一MOS管、第二MOS管、基准电阻依次连接形成偏置电路；N个修调检测单元，每个修调检测单元包括第三MOS管、第四MOS管，以及修调熔丝，第三MOS管、第四MOS管、修调熔丝依次连接与偏置电路形成镜像电路，第三MOS管和第四MOS管之间作为检测节点输出检测信号；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一个或多个分别通过开关连接一个或多个第五MOS管；当芯片进行修调检测时，开关置为状态一，当芯片处于工作模式时，开关处于状态二，本申请不仅可以提高芯片修调检测的可靠性，同时还能减小芯片面积。

技术领域

本申请涉及集成电路领域，具体涉及一种芯片修调检测电路及其芯片、电子设备。

背景技术

芯片的生产制造过程中需要对芯片的电气参数进行修调，修调熔丝是芯片用于修改集成电路的标识、功能和电气特性修调。修调熔丝熔断后输出信号0，未被熔断的修调熔丝输出信号1。修调检测的原理是将修调熔丝的电阻Rfuse和一个基准电阻Rref做比较，若RfuseRref，判定修调熔丝未熔断，若Rfuse＞Rref，判定修调熔丝已熔断。修调检测时就算基于该原理进行判断，但芯片在实际工作中受电源电压和温度的影响，修调后的电阻Rfuse的阻值在不同电源电压和温度下，也会表现出电阻值上的波动，甚至会出现RfuseRref的情况，从而导致芯片修调后的参数被改变，影响芯片的电气特性。同时，传统的修调检测方式，每一个修调熔丝的检测都需要一个比较电路，将检测电压与基准电压之间进行比较，其原理可参考公开号为CN107992157A，专利名称：一种电熔丝状态读取电路。一个芯片中修调熔丝一般有数十个，这就增大了芯片的面积。

发明内容

本申请的目的在于克服现有技术的不足，提供一种芯片修调检测电路及其芯片、电子设备，可以提高芯片修调检测的可靠性，同时还能减小芯片面积。

本申请的目的是通过以下技术方案来实现的：

本申请第一方面提供一种芯片修调检测电路，包括：

至少一个基准单元，所述基准单元包括第一MOS管、第二MOS管，以及基准电阻，所述第一MOS管、第二MOS管、基准电阻依次连接形成偏置电路；

N个修调检测单元，每个修调检测单元包括第三MOS管、第四MOS管，以及修调熔丝，所述第三MOS管、第四MOS管、修调熔丝依次连接与所述偏置电路形成镜像电路，所述第三MOS管和第四MOS管之间作为检测节点输出检测信号；

所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管中的一个或多个分别通过开关连接一个或多个第五MOS管；

当芯片进行修调检测时，所述开关置为状态一，当芯片处于工作模式时，所述开关处于状态二。

本申请中，将修调检测电路设置了两种状态，一种用于出厂前或芯片投入使用前的测试阶段，一种是出厂后的工作阶段，并通过开关进行两种状态的切换，也就是开关的状态一和开关的状态二，其分别对应修调检测和工作模式。在两种状态下，基准单元与修调检测单元所形成的电流镜镜像比例不同，使得修调检测单元的电流不同，当修调熔丝熔断后，检测节点处的电压也不同。基于修调原理，修调熔丝熔断后输出信号0，修调熔丝未熔断输出信号1，而信号0和1之间的临界值所对应的电压即翻转电压，修调就是将修调熔丝熔断后使其电阻值超过临界值所对应的电阻，从而使得检测节点的电压达到检测信号翻转的电压。为了避免工作模式下温度都参数的影响，避免输出信号产生跳变，必须满足熔断后检测节点的电压远离临界值，这样即使芯片工作环境变化，也不会造成检测结果二次翻转从而影响芯片的电气性能。在本申请中，两种状态下同一检测节点使输出结果翻转的临界值（阈值）不同，测试阶段的临界值大于工作阶段，修调检测时，使得修调熔丝需要更高的高阻态，从而提高修调检测的可靠性，使其在工作模式下，即使温度等影响，也不会造成修调检测结果发生二次翻转，保证了芯片的电气性能。