[发明专利]用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备在审
申请号: | 202211310438.0 | 申请日: | 2022-10-25 |
公开(公告)号: | CN115637420A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 白海健;刘振;吴凤丽;野沢俊久;金基烈;刘润哲;董文惠 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体设备 排气 管路 以及 | ||
1.一种用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该排气管路包括:
真空泵排气管路,具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路;其中,该前级抽气管路连接该双腔半导体设备的双腔室和真空泵的进口,该后级抽气管路连接该真空泵的出口和废气处理装置;该前级抽气管路上设置有第一阀门,该第一阀门将该前级抽气管路分为第一段和第二段,第一段位于该第一阀门与该双腔室之间,第二段位于该第一阀门与该真空泵之间;以及
第一分子泵排气管路,包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道;其中,该第一分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口,该第一分子泵进气管道上具有第二阀门,该第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门;该第一分子泵排气管道连接该第一分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段,该第一分子泵排气管道上具有第三阀门。
2.如权利要求1所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该第一分子泵排气管路还包括:
第二分子泵进气管道,连接该双腔室中的第一腔室和该第一分子泵的进口,该第二分子泵进气管道上具有第四阀门。
3.如权利要求2所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该第一分子泵排气管路还包括:
第五分子泵进气管道,连接该双腔室中的第二腔室和该第一分子泵的进口,该第五分子泵进气管道上具有第五阀门。
4.如权利要求2所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该排气管路还包括:
第二分子泵排气管路,包括第三分子泵进气管道、第四分子泵进气管道、第二分子泵以及第二分子泵排气管道;
其中:
该第三分子泵进气管道连接该双腔室中的第二腔室和该第二分子泵的进口,该第三分子泵进气管道上具有第六阀门;
该第四分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与该第二分子泵的进口,该第四分子泵进气管道上具有第七阀门;该第四分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门;
该第二分子泵排气管道连接该第二分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段,该第二分子泵排气管道上具有第八阀门。
5.如权利要求4所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,所述排气管路还包括:
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;
其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道的压力,并控制第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道上的所有阀门;以及
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;
其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道和该第二分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道和该第二分子泵排气管道上的所有阀门。
6.如权利要求4所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该真空泵的开启压力高于第一分子泵和第二分子泵的开启压力;
其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路以及第二分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵和第二分子泵进行隔离,但该第一分子泵和第二分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵和第二分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门、第四阀门、第六阀门、第七阀门和第八阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的