[发明专利]用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备

说明书

本发明提供了用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备。排气管路包括真空泵排气管路，具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路。前级抽气管路连接双腔室和真空泵的进口，后级抽气管路连接真空泵的出口和废气处理装置。前级抽气管路上设置有第一阀门，将前级抽气管路分为第一段和第二段。第一段位于第一阀门与双腔室之间，第二段位于第一阀门与真空泵之间。第一分子泵排气管路包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道。第一分子泵进气管道连接前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口。第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近第一阀门。第一分子泵排气管道连接第一分子泵的出口与前级抽气管路的第二段。

技术领域

本发明涉及带有分子泵的双腔半导体设备，尤其涉及排气管路设计。

背景技术

在化学气相沉积的过程中，引入真空条件会带来许多好处，比如真空下的气体可以被更精确地控制、反应氛围更为洁净等。

某些特殊的工艺需要更低的压力，比如金属栅工艺中的部分薄膜需要较高的真空度以防止薄膜被氧化。此时压力需要达到10^-5Torr甚至更低，因此需要干式真空泵与涡轮分子泵组成多级抽气管路已达到目标工作压力。

此外，现在的装有分子泵的半导体设备均为单腔，生产效率较低，使用双腔结构可以提高洁净间空间的利用率，从而达到降本增效的目的。但，若仍然使用现有的排气管路对双腔结构进行抽真空，那么会存在整个设备空间不够用的问题，且容易形成返流问题。

因此，亟需一种新型的用于双腔半导体设备的排气管路。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种用于双腔半导体设备的排气管路，该排气管路包括：

真空泵排气管路，具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路；其中，该前级抽气管路连接该双腔半导体设备的双腔室和真空泵的进口，该后级抽气管路连接该真空泵的出口和废气处理装置；该前级抽气管路上设置有第一阀门，该第一阀门将该前级抽气管路分为第一段和第二段，第一段位于该第一阀门与该双腔室之间，第二段位于该第一阀门与该真空泵之间；以及

第一分子泵排气管路，包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道；其中，该第一分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口，该第一分子泵进气管道上具有第二阀门，该第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门；该第一分子泵排气管道连接该第一分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段，该第一分子泵排气管道上具有第三阀门。

在一个实施例中，该第一分子泵排气管路还包括：第二分子泵进气管道，连接该双腔室中的第一腔室和该第一分子泵的进口，该第二分子泵进气管道上具有第四阀门。

在一个实施例中，该第一分子泵排气管路还包括：第五分子泵进气管道，连接该双腔室中的第二腔室和该第一分子泵的进口，该第五分子泵进气管道上具有第五阀门。

在一个实施例中，该排气管路还包括：第二分子泵排气管路，包括第三分子泵进气管道、第四分子泵进气管道、第二分子泵以及第二分子泵排气管道。其中：该第三分子泵进气管道连接该双腔室中的第二腔室和该第二分子泵的进口，该第三分子泵进气管道上具有第六阀门；该第四分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与该第二分子泵的进口，该第四分子泵进气管道上具有第七阀门；该第四分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门；该第二分子泵排气管道连接该第二分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段，该第二分子泵排气管道上具有第八阀门。

在一个实施例中，所述排气管路还包括：第一真空规和第二真空规。

第一真空规，连接至该前级抽气管路的第一段；该第一真空规带有继电器；其中，该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道的压力，并控制第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道上的所有阀门。