[发明专利]一种双面腔多引线陶瓷外壳结构及其制备方法

说明书

本申请公开一种双面腔多引线陶瓷外壳结构及其制备方法。外壳结构包括所述外壳结构包括陶瓷件、金属引线和金属框架，其中，所述陶瓷件为HTCC多层陶瓷双面腔结构，所述陶瓷件的表面以及内部布设多层金属图形，所述多层金属图形之间通过金属孔连通；所述金属引线在所述陶瓷件上多节排列设置，所述金属引线的节距为0.50mm，所述金属引线与陶瓷焊接位置为“V”字形结构；所述金属框架包括上金属框架和下金属框架，所述陶瓷件位于上金属框架和下金属框架之间，所述通过银铜焊料连接。制作方法通过多孔板结合气枪吹扫和真空腔抽吸的方式可以清除通孔内部的陶瓷碎屑，便于钨金属的完整填充，从而保证外壳具有良好的通断性能。

技术领域

本发明涉及一种双面腔多引线陶瓷外壳结构与制作方法，属于封装外壳技术领域。

背景技术

CQFP(Ceramic Quad Flat Pack，保护环的四侧引脚扁平封装)外壳是一种集成度较高的陶瓷表面贴装外壳。目前大部分CQFP外壳为单面腔体结构，较少做成双面腔体结构。双面腔体较之单面腔体可以实现更高的封装集成度。

当CQFP外壳引线节距设计成0.50mm及以下时，陶瓷内部金属通孔的孔径多会设计成0.10mm以下，生瓷带多采用机械冲制或者激光烧蚀的工艺制作空心通孔，然后填充金属化浆料。在制作孔径为0.10mm以下的空心通孔过程中极易在孔内堵塞陶瓷碎屑，且难以清理，容易造成金属化浆料填充不饱满甚至未填透，影响外壳电性能。

目前多采用毛刷清扫或者粘尘滚轮清理生瓷带制作空心通孔之后的陶瓷碎屑，但是这些常规方法只能清理生瓷带表面的陶瓷碎屑，不能清理空心孔内部的碎屑。也有用真空抽吸的方式清理空心孔内部的碎屑，但是由于生瓷带厚度较薄，真空抽吸过程容易造成生瓷带变形，并且对于孔内较大的陶瓷颗粒，抽吸效果并不理想。

发明内容

本发明所要解决的技术问题：为了提高封装集成度，以及针对现有技术中存在的生瓷带制作空心通孔时，制作过程中的陶瓷碎屑容易堵塞难以清理的问题，本发明提出一种双面腔多引线陶瓷外壳结构与制备方法，其中制备方法可有效去除0.10mm以下空心孔内部陶瓷碎屑。

本发明为解决以上技术问题，采用以下技术解决方案：

本发明提出一种双面腔多引线陶瓷外壳结构，所述外壳结构包括陶瓷件、金属引线和金属框架，其中，

所述陶瓷件为高温共烧多层陶瓷HTCC双面腔结构，所述陶瓷件的表面以及内部布设多层金属图形，所述多层金属图形之间通过金属孔连通；

所述金属引线在所述陶瓷件上分节缠绕设置，所述金属引线与陶瓷件的焊接位置为“V”字形结构；

所述金属框架包括第一金属框架和第二金属框架，所述陶瓷件位于第一金属框架和第二金属框架之间，通过银铜焊料连接。

本申请还提供一种本发明的双面腔多引线陶瓷外壳结构制备方法，包括步骤：

S1、选取厚度为0.20mm～0.35mm的黑色或者棕色陶瓷生瓷带，备用；

S2、采用激光烧蚀工艺在所述陶瓷生瓷带上制作通孔，所述通孔直径为50μm-150μm，清理所述陶瓷生瓷带表面的粉尘及所述通孔内部的碎屑；

S3、对陶瓷生瓷带进行填孔、印刷金属化图形，打腔，叠片，层压、生切、烧结；

S4、对烧结后的陶瓷件表面金属区域进行镀镍。

与现有技术相比，本发明所提供的一种双面腔多引线陶瓷外壳结构与制作方法，所具有的技术效果是：

所述陶瓷外壳为双面腔结构，提高了封装集成度。该外壳引线节距0.50mm，陶瓷内部金属孔直径为50μm-150μm，陶瓷件制备工艺为HTCC(高温共烧多层陶瓷)工艺，其中每层金属孔在填充金属钨之前都通过多孔板结合气枪吹扫和真空腔抽吸的方式清除通孔内部的陶瓷碎屑。有效提升了该外壳通断合格率。