[发明专利]超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜设计方法

说明书

本发明属于光学薄膜技术领域，公开了一种基底为H‑K9L或其它在400nm～1100nm具有高透射率的无色玻璃上，400nm～1100nm范围内中心波长λ₀＝515nm，通带宽度Δλ＝λ₀±25nm＝50nm、截止带λ≠λ₀±40nm的超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜的设计方法。该方法针对电子束热蒸发镀膜设备，以Ti2O3做为高折射率薄膜材料，以SiO2做为低折射率薄膜材料，使用石英晶控法监控膜层厚度，设计、制备的此类膜系具有膜层总厚度较薄，薄膜应力较小，环境适应性强，对薄膜沉积设备要求低，制备方法简单，制作成本低的特点。本发明所述方法对400nm～1100nm波段范围内其它中心波长的50nm宽带通滤光膜具有普适性。

技术领域

本发明属于光学薄膜技术领域，涉及一种超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜设计方法。

背景技术

带通滤光膜是指在一定波段内，除一小段高透射外其余均为高反射/截止区的一种光学薄膜器件。随着光电产品光谱波段的不断扩展及滤光片变角度使用情况的增多，超宽截止带的矩形波宽带通滤光膜应用需求越来越多，超宽截止带的矩形波宽带通滤光膜设计方法、制备方式、膜层性能及成本控制显得尤为重要。

带通滤光膜的传统设计方法有F-P型窄带滤光膜和长、短波截止膜组合的带通滤光膜两种。

对于50nm宽带通滤光膜，当中心波长λ0＝515nm时，F-P型滤光膜的透射带宽度无法满足要求，不能用于本发明所述滤光膜的制备。

由于膜层要求在400nm～1100nm全波段截止，长、短波截止膜组合的带通滤光膜，膜层很厚，监控精度较差，膜层应力较大；同时光学薄膜原理决定其矩形度较差且存在半波孔效应，为满足矩形度要求，则膜层厚度会进一步大，且无法完全消除半波孔效应，导致通带透过率大幅度降低，不能满足本发明所述滤光膜通带透过率要求。因此长、短波截止膜组合的带通滤光膜也不适于设计本发明所述超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜。

综上所述，目前针对超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜的设计方法尚未见报道。

发明内容

(一)发明目的

本发明的目的是：针对电子束热蒸发镀膜沉积设备，提出一种高精度、低成本、高性能的超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜设计方法。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供一种适用于电子束热蒸发沉积设备的高精度、低成本、高性能超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜的设计方法，设计内容包括如下方面：

1)所述超宽截止带50nm宽带通矩形波带通滤光膜包含三部分：双面抛光的H-K9L或其他在400nm～1100nm具有高透射率的无色平面玻璃基板，A面设计沉积的宽带通矩形波滤光膜、B面设计沉积的超宽截止带长波截止膜；

2)A面设计沉积的宽带通矩形波滤光膜在通带两侧包含部分截止带，且其通带宽度、通带透射率、矩形度均满足最终膜系要求的通带宽度、通带透射率及矩形度；

3)B面设计沉积的超宽带长波截止膜其透射带和A面的宽带通矩形波带通滤光膜的通带相同，其截止带为除A面宽带通矩形波带通滤光膜的截止带外400nm～1100nm全波段截止。