[发明专利]硅基前驱体的提纯方法及提纯系统

权利要求书

1.硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：

（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；

（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；

（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体；

所述步骤（S.1）中的吸附剂的外表面还包覆有聚合物包覆体；

所述聚合物包覆体包括一层包覆在吸附剂外表面的氮掺杂基体层；

所述氮掺杂基体层外部化学键合聚丙烯酸钠链段。

2.根据权利要求1所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，

所述硅基前驱体包含八甲基环四硅氧烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、三甲硅烷基胺、四乙氧基硅烷、二乙氧基甲基硅烷中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，

所述步骤（S.1）中的吸附剂包括活性炭、多孔氧化铝、硅胶粉、沸石中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，

所述吸附剂的制备方法如下：

（1）在吸附剂表面包覆一层含有氮原子的树脂；

（2）将包覆有氮原子树脂的吸附剂与丙烯酰氯反应，从而在包覆有氮原子树脂的吸附剂表面接枝丙烯酸基团，从而在吸附剂形成氮掺杂基体层，即中间体；

（3）将中间体与丙烯酸钠共聚，得到包覆有聚合物包覆体的吸附剂。

5.根据权利要求4所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，

所述步骤（3）中间体与丙烯酸钠的质量比小于为1：2。

6.根据权利要求1所述的硅基前驱体的提纯方法，其特征在于，

所述步骤（S.2）中工业级硅基前驱体与吸附剂的接触温度0~20℃。