[发明专利]一种半导体器件的电性能测试方法在审
申请号: | 202211328012.8 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115692227A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 杨劲松;潘冬;罗虎臣;罗文治 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 刘芬芬 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 性能 测试 方法 | ||
1.一种半导体器件的电性能测试方法,其特征在于,包括:
在第一基体的第一表面形成第一线路层;
在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘,所述第一测试焊盘与所述第一线路层中的部分线路电连接;
通过所述第一测试焊盘获得所述第一线路层的电性能;
去除所述第一测试焊盘。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述去除所述第一测试焊盘的步骤之后,包括:
在所述第一线路层背离所述第一基体一侧形成第二线路层;
将所述第二线路层作为所述第一线路层,并返回至在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘的步骤。
3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,
所述第一基体包括芯片区和测试区;
所述在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘,所述第一测试焊盘与所述第一线路层中的部分线路电连接的步骤包括:在位于所述测试区的所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成所述第一测试焊盘,所述第一测试焊盘与所述测试区中的线路电连接,和/或,在位于所述芯片区的所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成所述第一测试焊盘,所述第一测试焊盘与所述芯片区中的线路电连接。
4.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘,所述第一测试焊盘与所述第一线路层中的部分线路电连接的步骤之前包括:对所述第一线路层背离所述第一基体的一侧进行羟基化处理;去除羟基化处理之后的所述第一线路层背离所述第一基体的一侧表面的氧化层。
5.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘的步骤可以包括:在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧喷墨印刷或者丝网印刷所述第一测试焊盘。
6.根据权利要求5所述的测试方法,其特征在于,所述第一测试焊盘的材料包括导电有机物或者导电无机物中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述去除所述第一测试焊盘的步骤可以包括:对所述第一测试焊盘进行化学机械抛光,直至露出所述第一线路层中的所述线路。
8.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,在所述去除所述第一测试焊盘的步骤之后,还包括:
将所述第一基体与第二基体键合,所述第一线路层背离所述第一基体一侧的线路与所述第二基体靠近所述第一基体一侧的线路电连接;其中,所述第二基体背离所述第一基体一侧设置有第二线路层;
将所述第二线路层作为所述第一线路层,并返回至在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘的步骤。
9.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述通过所述第一测试焊盘获得所述第一线路层的电性能的步骤包括:
获得所述第一测试焊盘与所述线路之间的第一接触电阻、所述第一测试焊盘与测试探针之间的第二接触电阻以及所述第一测试焊盘的电阻;
通过所述第一测试焊盘获得所述第一接触电阻、所述第二接触电阻、第一测试焊盘的电阻以及所述第一测试焊盘电连接的所述线路的电阻线路的总和;
根据所述总和、所述第一接触电阻以及所述第二接触电阻以及所述第一测试焊盘的电阻获得与所述第一测试焊盘电连接的所述线路的电阻。
10.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,在所述去除所述第一测试焊盘的步骤之后包括:在所述第一线路层背离所述基体的表面上电镀金属,对所述金属进行光刻,直至在所述测试区背离所述基体的一侧形成第二测试焊盘,所述第二测试焊盘与所述测试区中的所述线路电连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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