[发明专利]一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置在审
申请号: | 202211328959.9 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115537933A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 刘砚滨;赵中阳;赵春锋;于会永 | 申请(专利权)人: | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/30 |
代理公司: | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人: | 孙淑荣 |
地址: | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电导率 钽酸理 晶片 装置 | ||
1.一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置,包括基座(1),其特征在于,所述基座(1)的顶部固定安装有反应罐(2),所述反应罐(2)的一侧连通有通气组件(3),所述反应罐(2)内腔的底部可拆卸安装有加热装置(8),所述加热装置(8)的顶部可拆卸安装有顶出组件(9),所述顶出组件(9)的顶部固定安装有振动组件(10),所述基座(1)的顶部开设有滑槽(11),所述滑槽(11)的内部滑动连接有滑块(12),所述滑块(12)的顶部固定安装有降温组件(13)。
2.根据权利要求1所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述反应罐(2)顶部的一侧开设有开孔(4),所述反应罐(2)的顶部可拆卸安装有罐盖(5),所述罐盖(5)底部的一侧固定安装有卡轴(6),所述罐盖(5)的顶部可拆卸安装有把手(7)。
3.根据权利要求2所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述卡轴(6)的大小与开孔(4)的大小相适配,所述开孔(4)的数量为两个,所述卡轴(6)的数量与开孔(4)的数量一一对应,两个所述卡轴(6)的底部通过开孔(4)与反应罐(2)的顶部活动套接。
4.根据权利要求1所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述通气组件(3)包括氩气罐体(31)和氮气罐体(34),所述氩气罐体(31)的顶部可拆卸安装有第一阀门(32),所述氩气罐体(31)的一侧连通有第一气管(33),所述第一气管(33)的一侧与反应罐(2)的表面连通,所述氮气罐体(34)的可拆卸安装有第二阀门(35),所述氮气罐体(34)的一侧连通有第二气管(36),所述第二气管(36)的一侧与反应罐(2)的表面连通。
5.根据权利要求1所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述顶出组件(9)包括水平板(91),所述水平板(91)的底部固定安装有支撑柱(92),所述支撑柱(92)与水平板(91)的夹角为三十度,所述支撑柱(92)的底部与加热装置(8)的顶部固定连接。
6.根据权利要求5所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述水平板(91)顶部的一侧固定连接有套管(93),所述套管(93)的顶部开设有套孔(94),所述套管(93)的内腔可拆卸安装有复合弹簧(95),所述复合弹簧(95)的底部与套管(93)的内腔固定连接,所述复合弹簧(95)的顶部活动连接有伸缩管(96),所述伸缩管(96)活动套接于套管(93)的内部,所述水平板(91)顶部的中间可拆卸安装有液压伸缩柱(97)。
7.根据权利要求6所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述振动组件(10)包括坩埚(101),所述坩埚(101)的材质为硅,所述伸缩管(96)的顶部与坩埚(101)的底部固定连接,所述坩埚(101)的底部与液压伸缩柱(97)的顶部固定连接,所述坩埚(101)内腔的一侧固定安装有直柱(102),所述直柱(102)的顶部可拆卸安装有伸缩弹簧(103),所述伸缩弹簧(103)的顶部可拆卸安装有连接轴(104),所述连接轴(104)的一侧固定安装有振动电机(105)。
8.根据权利要求1所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述降温组件(13)包括台架(131),所述台架(131)的底部与滑块(12)的顶部固定连接,所述台架(131)的一侧开设有第一卡槽(132),所述第一卡槽(132)的内部固定安装有左卡板(133),所述台架(131)的另一侧开设有第二卡槽(134),所述第二卡槽(134)的内部固定安装有右卡板(135),所述台架(131)的顶部固定安装有存储筒(136)。
9.根据权利要求8所述的高电导率钽酸理晶片黑化的装置,其特征在于:所述存储筒(136)内腔的底部固定安装有固定块(137),所述固定块(137)的顶部固定安装有长轴(138),所述长轴(138)的一侧固定安装有承接轴(139),所述承接轴(139)的一侧固定安装有风扇(1310)。
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