[发明专利]一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置在审
申请号: | 202211328959.9 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115537933A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 刘砚滨;赵中阳;赵春锋;于会永 | 申请(专利权)人: | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/30 |
代理公司: | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人: | 孙淑荣 |
地址: | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电导率 钽酸理 晶片 装置 | ||
本发明公开了一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置,包括基座,基座的顶部固定安装有反应罐,反应罐的一侧连通有通气组件,反应罐内腔的底部可拆卸安装有加热装置,加热装置的顶部可拆卸安装有顶出组件,顶出组件的顶部固定安装有振动组件,基座的顶部开设有滑槽。本发明通过设置反应罐和坩埚,由于坩埚的材质为硅,即半导体材质,操作人员在将钽酸理晶片原料放入坩埚后,还可以向坩埚中加入部分耐高温掺杂物质(如陶瓷或沙子),使得坩埚中的含杂质成分增高,可以使得坩埚中的电导率升高,这样钽酸理晶片原料在反应罐中进行氧化黑化反应时,电导率的升高可以使晶片体内载流子的浓度大量增加,提高了钽酸理晶片的成品质量。
技术领域
本发明涉及钽酸理晶片技术领域,更具体地说,本发明涉及一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置。
背景技术
钽酸锂晶体是功能材料领域的“万能”材料,它们具有良好的机械、物理性能和成本低等优点,并且作为非线性光学晶体、电光晶体、压电晶体、声光晶体和双折射晶体等在现今以光技术产业为中心的IT产业中得到了广泛的应用,以前的工作显示,晶体材料的结构与其光学性能息息相关,钽酸锂晶体的生产流程中,伴随着氧化还原反应,经历高温的预处理,增加了钽酸锂晶片的氧空位浓度,使晶片体内载流子的浓度大量增加,提高了晶片的电导率,降低了晶片的电阻率,导致钽酸锂、铌酸锂晶片颜色由白色变成黑色或者红棕色,因此这种预处理方法也被称作还原黑化,简称黑化。
现有的钽酸理晶片黑化装置,由于电导率的升高可以促进晶片的氧化还原反应,当黑化炉中的电导率较低时,会影响到钽酸理晶片的成品质量;此外,钽酸理晶片在高温条件下生产完成后,需要关闭加热系统,等待至室温条件下,才能打开开炉门取出铌酸锂晶片,这个过程需要耗费较长的等待时间。
于是,发明人有鉴于此,秉持多年该相关行业丰富的设计开发及实际制作的经验,针对现有的结构及缺失予以研究改良,提供高电导率钽酸理晶片黑化的装置,以期达到提高钽酸理晶片在黑化过程后成品质量的目的。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本发明的实施例提供一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置,本发明通过设置反应罐和坩埚,由于坩埚的材质为硅,即半导体材质,操作人员在将钽酸理晶片原料放入坩埚后,还可以向坩埚中加入部分耐高温掺杂物质(如陶瓷或沙子),使得坩埚中的含杂质成分增高,可以使得坩埚中的电导率升高,这样钽酸理晶片原料在反应罐中进行氧化黑化反应时,电导率的升高可以使晶片体内载流子的浓度大量增加,提高了钽酸理晶片的成品质量,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置,包括基座,所述基座的顶部固定安装有反应罐,所述反应罐的一侧连通有通气组件,所述反应罐内腔的底部可拆卸安装有加热装置,所述加热装置的顶部可拆卸安装有顶出组件,所述顶出组件的顶部固定安装有振动组件,所述基座的顶部开设有滑槽,所述滑槽的内部滑动连接有滑块,所述滑块的顶部固定安装有降温组件。
在一个优选地实施方式中,所述反应罐顶部的一侧开设有开孔,所述反应罐的顶部可拆卸安装有罐盖,所述罐盖底部的一侧固定安装有卡轴,所述罐盖的顶部可拆卸安装有把手。
在一个优选地实施方式中,所述卡轴的大小与开孔的大小相适配,所述开孔的数量为两个,所述卡轴的数量与开孔的数量一一对应,两个所述卡轴的底部通过开孔与反应罐的顶部活动套接。
在一个优选地实施方式中,所述通气组件包括氩气罐体和氮气罐体,所述氩气罐体的顶部可拆卸安装有第一阀门,所述氩气罐体的一侧连通有第一气管,所述第一气管的一侧与反应罐的表面连通,所述氮气罐体的可拆卸安装有第二阀门,所述氮气罐体的一侧连通有第二气管,所述第二气管的一侧与反应罐的表面连通。
在一个优选地实施方式中,所述顶出组件包括水平板,所述水平板的底部固定安装有支撑柱,所述支撑柱与水平板的夹角为三十度,所述支撑柱的底部与加热装置的顶部固定连接。
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