[发明专利]用于电迁移测试的虚置结构

权利要求书

1.一种用于电迁移测试的虚置结构，其特征在于，包括：

绝缘介质层；

多个第一开口，沿第一方向间隔的开设在所述绝缘介质层中，所述第一方向为垂直于所述绝缘介质层厚度的方向；

一个第二开口，开设在所述绝缘介质层中，所述第二开口位于多个所述第一开口的一侧，且所述第二开口沿所述第一方向的长度大于所述第一开口沿所述第一方向的长度，所述第二开口用于在所述电迁移测试中使得金属测试结构以及待测金属线裸露；

多个第一金属块，均匀的间隔设置在所述绝缘介质层的表面上。

2.根据权利要求1所述的虚置结构，其特征在于，所述虚置结构还包括：

多个第二金属块，位于各所述第一开口的两侧，且沿所述第一方向排列，所述第二金属块沿第二方向的长度大于所述第一开口沿所述第二方向的长度，所述第二方向与所述绝缘介质层厚度的方向垂直且与所述第一方向垂直。

3.根据权利要求2所述的虚置结构，其特征在于，所述虚置结构还包括：

多个第三金属块，位于所述第二开口的远离所述第一开口的一侧，且沿所述第一方向排列，所述第三金属块沿所述第一方向的长度小于所述第二开口沿所述第一方向的长度。

4.根据权利要求3所述的虚置结构，其特征在于，所述虚置结构还包括：

多个第四金属块，位于所述第三金属块的远离所述第二开口的一侧，且沿所述第二方向排列，所述第四金属块沿所述第一方向的长度大于所述第二开口沿所述第一方向的长度。

5.根据权利要求2所述的虚置结构，其特征在于，所述第二金属块沿所述第一方向的长度范围为5µm~7µm。

6.根据权利要求3所述的虚置结构，其特征在于，所述第三金属块沿所述第一方向的长度与所述第二开口沿所述第一方向的长度的比值范围为1:8~1:3。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的虚置结构，其特征在于，所述第二开口沿所述第二方向的长度范围为1µm~2µm。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的虚置结构，其特征在于，所述第一金属块沿所述第一方向的长度范围为1µm~3µm。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的虚置结构，其特征在于，所述第一开口、所述第二开口以及所述第一金属块的形状包括矩形。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的虚置结构，其特征在于，所述第一金属块呈矩阵形式分布。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的虚置结构，其特征在于，所述绝缘介质层的材料包括以下之一：氮化硅、氧化硅以及碳氧化硅。