[发明专利]用于电迁移测试的虚置结构

说明书

本申请提供了一种用于电迁移测试的虚置结构，该虚置结构包括绝缘介质层、多个第一开口、一个第二开口以及多个第一金属块，其中，多个第一开口沿第一方向间隔的开设在绝缘介质层中，第一方向为垂直于绝缘介质层厚度的方向；第二开口开设在绝缘介质层中，第二开口位于多个第一开口的一侧，且第二开口沿第一方向的长度大于第一开口沿第一方向的长度；多个第一金属块均匀的间隔设置在绝缘介质层的表面上。该用于电迁移测试的虚置结构通过设计一个第二开口，使得金属测试结构以及待测金属线能够裸露，从而在找出失效点的时候不会使金属测试结构以及待测金属线受到损伤，进而解决了现有技术中用于电迁移测试的虚置结构在研磨时容易损伤失效点的问题。

技术领域

本申请涉及半导体测试技术领域，具体而言，涉及一种用于电迁移测试的虚置结构。

背景技术

近年来，随着半导体器件的尺寸不断缩小、集成度不断的提高，半导体器件工作时的电流不断增加，电迁移（Electromigration，EM）效应成为半导体器件可靠性的瓶颈之一。电迁移效应是指半导体器件中的集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。由此，金属线的某些部位会因为该电迁移现象而出现空洞（Void），进而发生断路，而某些部位会因为该电迁移现象而出现小丘（Hillock），进而造成电路短路。芯片在出厂前会进行可靠性相关测试，针对后段制程的电迁移测试则是一项评估金属连线的方法。经过电迁移测试后的金属线会产生缺陷，后期需要针对失效样品进行物理剥层，确认失效点位置，分析失效原因。

失效点通常在通孔（Via）的底部和施加电流的金属线（Stress Metal Line）上，为了查看整条施加电流的金属线，就需要将覆盖在顶层金属线上的虚置结构完全移除，这必然导致移除金属块的下方的金属测试结构下方的通孔及待测金属线损伤，无法同时实现通孔和施加电流的金属线的形貌确认。

因此，亟需一种用于电迁移测试的不会损伤失效点的虚置结构。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种用于电迁移测试的虚置结构，以解决现有技术中用于电迁移测试的虚置结构在研磨时容易损伤失效点的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种用于电迁移测试的虚置结构，包括绝缘介质层、多个第一开口、一个第二开口以及多个第一金属块，其中，多个所述第一开口沿第一方向间隔的开设在所述绝缘介质层中，所述第一方向为垂直于所述绝缘介质层厚度的方向；一个所述第二开口开设在所述绝缘介质层中，所述第二开口位于多个所述第一开口的一侧，且所述第二开口沿所述第一方向的长度大于所述第一开口沿所述第一方向的长度；多个所述第一金属块均匀的间隔设置在所述绝缘介质层的表面上。

进一步地，所述虚置结构还包括多个第二金属块，所述第二金属块位于各所述第一开口的两侧，且沿所述第一方向排列，所述第二金属块沿第二方向的长度大于所述第一开口沿所述第二方向的长度，所述第二方向与所述绝缘介质层厚度的方向垂直且与所述第一方向垂直。

进一步地，所述虚置结构还包括多个第三金属块，所述第三金属块位于所述第二开口的远离所述第一开口的一侧，且沿所述第一方向排列，所述第三金属块沿所述第一方向的长度小于所述第二开口沿所述第一方向的长度。

进一步地，所述虚置结构还包括多个第四金属块，所述第四金属块位于所述第三金属块的远离所述第二开口的一侧，且沿所述第二方向排列，所述第四金属块沿所述第一方向的长度大于所述第二开口沿所述第一方向的长度。

进一步地，所述第二金属块沿所述第一方向的长度范围为5µm~7µm。

进一步地，所述第三金属块沿所述第一方向的长度与所述第二开口沿所述第一方向的长度的比值范围为1:8~1:3。