[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202211333594.9 申请日: 2022-10-28
公开(公告)号: CN116264219A 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 村田悠马;谷口克己;加藤辽一 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L25/07
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

绝缘片,具有第一主表面和第二主表面;

板状的第一端子,其与所述绝缘片的所述第一主表面相向地设置,所述第一端子具有突出到所述绝缘片的所述第一主表面的外侧的第一突出部;以及

板状的第二端子,其与所述绝缘片的所述第二主表面相向地设置,所述第二端子具有与所述第一突出部并排地突出到所述绝缘片的所述第二主表面的外侧的第二突出部,

其中,在所述第一突出部的与所述绝缘片的端部相交的位置,设置有使与所述第二突出部相向的侧面向远离所述第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

在所述第二突出部的与所述绝缘片的所述端部相交的位置,设置有使与所述第一突出部相向的侧面向远离所述第一突出部的方向凹陷而成的第二凹部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

所述第一端子还具有第三突出部,该第三突出部在所述第二突出部的与设置有所述第一突出部的一侧相反的一侧,与所述第一突出部及所述第二突出部并排地突出到所述绝缘片的所述第一主表面的外侧,

在所述第二突出部的与所述绝缘片的所述端部相交的位置,设置有使与所述第三突出部相向的侧面向远离所述第三突出部的方向凹陷而成的第三凹部,

在所述第三突出部的与所述绝缘片的所述端部相交的位置,设置有使与所述第二突出部相向的侧面向远离所述第二突出部的方向凹陷而成的第四凹部。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

所述第一端子还具有第三突出部,该第三突出部在所述第二突出部的与设置有所述第一突出部的一侧相反的一侧,与所述第一突出部及所述第二突出部并排地突出到所述绝缘片的所述第一主表面的外侧,

所述第二端子还具有第四突出部,该第四突出部在所述第二突出部与所述第三突出部之间,与所述第一突出部、所述第二突出部以及所述第三突出部并排地突出到所述绝缘片的所述第二主表面的外侧,

在所述第四突出部的与所述绝缘片的所述端部相交的位置,设置有使与所述第三突出部相向的侧面向远离所述第三突出部的方向凹陷而成的第三凹部,

在所述第三突出部的与所述绝缘片的所述端部相交的位置,设置有使与所述第四突出部相向的侧面向远离所述第四突出部的方向凹陷而成的第四凹部。

5.根据权利要求1~4中的任一项所述的半导体装置,其中,

所述第一端子和所述第二端子被用作电位互不相同的端子。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的半导体装置,其中,

所述第一端子还具有与所述第一突出部连接的第一主体部,

所述第二端子还具有与所述第二突出部连接的第二主体部,

所述第一主体部的至少一部分与所述第二主体部的至少一部分隔着所述绝缘片彼此相向。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,

所述绝缘片的所述端部的位置处的所述第一突出部与所述第二突出部之间的沿着所述绝缘片的第一爬电距离比所述第一主体部与所述第二突出部之间的沿着所述绝缘片的第二爬电距离、以及所述第二主体部与所述第一突出部之间的沿着所述绝缘片的第三爬电距离长。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置,其中,

设置有使所述第一主体部的与所述第二突出部相向的侧面向远离所述第二突出部的方向凹陷而成的第五凹部。

9.根据权利要求6~8中的任一项所述的半导体装置,其中,

设置有使所述第二主体部的与所述第一突出部相向的侧面向远离所述第一突出部的方向凹陷而成的第六凹部。

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