[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离，从而能够提高绝缘性能。半导体装置具备：绝缘片，具有第一主表面和第二主表面；板状的第一端子，其与绝缘片的第一主表面相向地设置，该第一端子具有突出到绝缘片的第一主表面的外侧的第一突出部；以及板状的第二端子，其与绝缘片的第二主表面相向地设置，该第二端子具有与第一突出部并排地突出到绝缘片的第二主表面的外侧的第二突出部，在第一突出部的与绝缘片的端部相交的位置，设置有使与第二突出部相向的侧面向远离第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。

技术领域

本发明涉及一种搭载功率半导体元件的半导体装置(功率半导体模块)。

背景技术

近年，由于全球性的脱碳的动向，电动汽车、电力铁道车辆等电动车辆受到关注。在电动车辆中，要求利用逆变器、转换器等电力转换装置进行的高效的马达控制，该电力转换装置一般使用功率半导体模块。功率半导体模块将直流电力转换为交流电力或者与其相反地进行转换。在功率半导体模块搭载有多个的如绝缘栅型双极晶体管(IGBT)、金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)以及二极管等的功率半导体元件(开关元件)，通过对这些功率半导体元件进行接通、断开的开关来进行电力转换。

功率半导体元件在开关时会伴随损耗，因此能够通过尽可能高速地进行开关来降低开关损耗，但有时因高速开关而产生过电压。如果产生过电压，则不仅损耗变大，还有可能使功率半导体模块损坏。为了在高速开关中抑制过电压，已知降低布线的寄生电感的所谓低电感化是有效的。在将IGBT、MOSFET等功率半导体元件串联地连接、在串联的两端连接正极端子和负极端子、且在功率半导体元件间连接交流的输出端子而得到的2合1(2-in-1)模块中，设为以使电流向反方向流动的方式将正极端子与负极端子隔着绝缘片进行层叠的所谓的层压布线构造，由此能够实现低电感化。

在专利文献1中公开有一种半导体装置，该半导体装置具有第一功率端子、第一绝缘片以及第二功率端子按此顺序重叠的端子层叠部，第一功率端子具有与电容器的第一连接端子导电连接的第一接合区，第二功率端子具有与电容器的第二连接端子导电连接的第二接合区，该半导体装置具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2021-106235号公报

发明内容

发明要解决的问题

在层压布线构造的功率半导体模块中，在收纳功率半导体元件的壳体的内侧，正极端子和负极端子突出到比绝缘片的端部靠内侧的位置，突出的部分与功率半导体元件电接合。正极端子和负极端子被填充于壳体的内侧的树脂密封。但是，在密封正极端子和负极端子的树脂剥离的情况下，有时正极端子与负极端子之间的爬电距离不足。

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离、从而能够提高绝缘性能的半导体装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式的主旨在于提供一种半导体装置，具备：(a)绝缘片，具有第一主表面和第二主表面；(b)板状的第一端子，其与绝缘片的第一主表面相向地设置，该第一端子具有突出到绝缘片的第一主表面的外侧的第一突出部；以及(c)板状的第二端子，其与绝缘片的第二主表面相向地设置，该第二端子具有与第一突出部并排地突出到绝缘片的第二主表面的外侧的第二突出部，其中，在第一突出部的与绝缘片的端部相交的位置，设置有使与第二突出部相向的侧面向远离第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离、从而能够提高绝缘性能的半导体装置。