[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

衬底(10)；

位于该衬底(10)上由第一金属层(11)经图案化形成的栅极(111)；

覆盖该栅极(111)的栅极绝缘层(12)；

位于该栅极绝缘层(12)上由第一金属氧化物层(13)经图案化形成的有源层(131)；

位于该有源层(131)上相互间隔开的源极(14a)和漏极(14b)，其中该源极(14a)和该漏极(14b)均为三层堆叠结构，包括位于中间的金属铜层(141)、设置在该金属铜层(141)下方的第二金属层(142)以及覆盖在该金属铜层(141)上方的第二金属氧化物层(143)。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板还包括：

覆盖该源极(14a)、该漏极(14b)和该有源层(131)的第一钝化层(15)；

覆盖该第一钝化层(15)的平坦层(16)；

位于该平坦层(16)上由第一透明导电层(17)通过图案化形成的公共电极(171)；

覆盖该公共电极(171)的第二钝化层(18)，其中该第二钝化层(18)、该平坦层(16)和该第一钝化层(15)中与该漏极(14b)相对应的位置形成有接触孔(181)，该漏极(14b)顶层的该第二金属氧化物层(143)通过该接触孔(181)露出，且露出的该第二金属氧化物层(143)经过离子掺杂由半导体转变为导体；

位于该第二钝化层(18)上由第二透明导电层(19)通过图案化形成的像素电极(191)，该像素电极(191)填入该接触孔(181)中并与该漏极(14b)顶层的该第二金属氧化物层(143)导电连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第二金属层(142)的材料是钼或钼铌合金，该第一金属氧化物层(13)和该第二金属氧化物层(143)的材料是铟镓锌氧化物、铟锌氧化物或掺镧的铟锌氧化物。

4.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底(10)上形成第一金属层(11)，并对该第一金属层(11)进行图案化，使该第一金属层(11)形成栅极(111)；

在该衬底(10)上形成覆盖该栅极(111)的栅极绝缘层(12)；

在该栅极绝缘层(12)上依次连续地形成第一金属氧化物层(13)、第二金属层(142)、金属铜层(141)和第二金属氧化物层(143)；

在该第二金属氧化物层(143)上涂覆光阻层(20)；

使用半色调掩膜(30)对该光阻层(20)进行曝光和显影，使该光阻层(20)留下第一光阻图案(21)和第二光阻图案(22)，未留下有光阻的其他区域则露出该第二金属氧化物层(143)，其中该第一光阻图案(21)的厚度大于该第二光阻图案(22)的厚度，该第一光阻图案(21)与该源极(14a)和漏极(14b)的位置相对应，该第二光阻图案(22)与沟道区的位置相对应；

使用第一蚀刻液对该第二金属氧化物层(143)进行蚀刻，去除露出的该第二金属氧化物层(143)，并在该第二金属氧化物层(143)被蚀刻之后，露出下方的该金属铜层(141)；

使用第二蚀刻液对该金属铜层(141)和下方的该第二金属层(142)同时进行蚀刻，去除露出的该金属铜层(141)和下方的该第二金属层(142)，并在该金属铜层(141)和该第二金属层(142)被蚀刻之后，露出下方的该第一金属氧化物层(13)；

使用第三蚀刻液对该第一金属氧化物层(13)进行蚀刻，去除露出的该第一金属氧化物层(13)，使该第一金属氧化物层(13)在被蚀刻后形成有源层(131)；

利用光阻灰化去除该第二光阻图案(22)，以在沟道区位置露出该第二金属氧化物层(143)；

使用上述第一蚀刻液蚀刻去除在沟道区位置露出的该第二金属氧化物层(143)，以在沟道区位置露出该金属铜层(141)；

使用上述第二蚀刻液蚀刻去除在沟道区位置露出的该金属铜层(141)和下方的该第二金属层(142)，以形成该源极(14a)和该漏极(14b)，并在沟道区位置露出该有源层(131)；

在形成该源极(14a)和该漏极(14b)之后，去除该第一光阻图案(21)。