[发明专利]一种半导体生产用等离子刻蚀机有效
申请号: | 202211344656.6 | 申请日: | 2022-10-31 |
公开(公告)号: | CN115621167B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 谢金海;刘天华 | 申请(专利权)人: | 深圳市盛鸿运科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B1/00;B08B1/02 |
代理公司: | 北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624 | 代理人: | 蔡永波 |
地址: | 518103 广东省深圳市宝安区沙井街道共和社区同富裕工业区湾厦工业园5号*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 生产 等离子 刻蚀 | ||
本发明涉及半导体芯片制造技术领域,且公开了一种半导体生产用等离子刻蚀机,包括机箱,所述机箱的内壁开设有加工腔,且机箱的表面一侧开设有送气管,所述机箱的表面中部固定安装有提升装置,且提升装置的顶部固定安装有驱动电机,所述驱动电机的输出轴固定安装有位于加工腔内腔的驱动杆,且驱动杆的底端固定安装有固定块。本发明通过在底座上设置有振动凸块,并通过风叶在底座表面上移动,因而使得风叶带动晶圆转动的同时还在经过振动凸块后上下摆动,从而针对其晶圆表面的反应产物进行振动脱离,与此同时,通过其风叶压制下限块使得晶圆进行固定,保证了在工作时晶圆固定牢固,最终实现稳固定位及易于清杂的目的。
技术领域
本发明涉及半导体芯片制造技术领域,具体为一种半导体生产用等离子刻蚀机。
背景技术
等离子刻蚀是一种通过等离子体引起的化学反应和轰击产生的物理反应对待刻蚀件进行刻蚀的装置,是干法刻蚀中最常见的一种形式;晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
而在晶圆旋转的过程中,多数通过振动的方式去除晶圆表面反应的产物,进而导致需要对晶圆进行稳固的固定,过紧的固定会对晶圆造成损伤,过轻则会使得晶圆飞出,影响正常的工作;与此同时,在使用的过程中,晶圆上反应的产物不能及时排出,阻碍新的反应进行,从而影响其反应速率,并当反应气体注入过于集中时,电离后的离子也就过于集中地轰击晶圆的局部区域,导致反应表面刻蚀层不均匀,影响晶圆加工质量。
发明内容
针对背景技术中提出的现有等离子刻蚀机在使用过程中存在的不足,本发明提供了一种半导体生产用等离子刻蚀机,具备稳固定位及易于清杂的优点,解决了上述背景技术中提出的技术问题。
本发明提供如下技术方案:一种半导体生产用等离子刻蚀机,包括机箱,所述机箱的内壁开设有加工腔,且机箱的表面一侧开设有送气管,所述机箱的表面中部固定安装有提升装置,且提升装置的顶部固定安装有驱动电机,所述驱动电机的输出轴固定安装有位于加工腔内腔的驱动杆,且驱动杆的底端固定安装有固定块,所述固定块上设置有安装架,所述安装架中活动安装有活动辊,且安装架的内壁底部活动套接有与活动辊辊面贴合的上限块,所述上限块的底部活动安装有晶圆,且安装架的底部活动安装有用于实现对晶圆固定的下限块,所述安装架的侧壁活动安装有锁止杆,且锁止杆的侧壁底部活动安装有风叶,所述风叶的外侧固定安装有用于实现对下限块进行固定的传动筒轮,所述机箱的内壁底部并位于加工腔中固定安装有底座,且底座的中部固定安装有位于机箱外侧的抽吸管,所述底座的表面设置有端面形状呈楔形凸起的振动凸块。
优选的,所述风叶的数量设为三个,且三个风叶的形状均呈扇形。
优选的,所述风叶的侧壁固定安装有位于晶圆下方的清洁杆,且清洁杆的侧壁固定安装有与晶圆滑动连接的清洁刷体,所述清洁杆与风叶处于同一轴线,所述清洁杆设为至少三组,三组所述清洁杆之间等距且相邻两组间的清洁杆之间呈九十度布置。
优选的,所述活动辊的数量设有六个,且六个活动辊均为滚筒。
优选的,所述固定块与安装架之间活动套接,所述安装架的内壁固定安装有位于活动辊端头的锁止螺母,且固定块表面活动安装有用于与锁止螺母适配实现固定块提升和下落的锁止螺栓,所述锁止杆的顶端与固定块活动安装。
优选的,所述锁止杆设为矩形杆与圆柱杆的组合体,且锁止杆在固定块的表面上间隙安装。
本发明具备以下有益效果:
1、本发明通过在底座上设置有振动凸块,并通过风叶在底座表面上移动,因而使得风叶带动晶圆转动的同时还在经过振动凸块后上下摆动,从而针对其晶圆表面的反应产物进行振动脱离,与此同时,通过其风叶压制下限块使得晶圆进行固定,保证了在工作时晶圆固定牢固,最终实现稳固定位及易于清杂的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造