[发明专利]一种微显示芯片及其制备方法有效
申请号: | 202211356839.X | 申请日: | 2022-11-01 |
公开(公告)号: | CN115472641B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 卢子元;庄永漳;仉旭;胡双元;李海波 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/46;H01L25/16 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 周坤 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种微显示芯片,包括:
自发光层,所述自发光层包括呈阵列排布的若干发光单元,每一所述发光单元能够单独被点亮,所述发光单元用于发射第一颜色光;
波长转换层,设置于所述自发光层表面,所述波长转换层包括若干波长转换单元,所述波长转换单元至少包括第一波长转换单元,所述发光单元叠加所述第一波长转换单元发出第二颜色光;
其特征在于,
所述微显示芯片还包括:第一透射反射层和第二透射反射层;
所述第一透射反射层用于设置于所述自发光层与所述波长转换层之间;
所述第二透射反射层用于设置于所述波长转换层的另一表面;
所述第一透射反射层设置为对所述第一颜色光具有低反射率和高透射率且对所述第二颜色光具有高反射率和低透射率,所述第二透射反射层设置为对所述第一颜色光具有高反射率和低透射率且对所述第二颜色光具有低反射率和高透射率;
所述第一透射反射层和所述第二透射反射层各自独立地为混合式布拉格反射镜或分布式布拉格反射镜,且其中至少一个为混合式布拉格反射镜;
所述分布式布拉格反射镜包括m个周期结构A,其中每个周期结构A由A1和A2材料层叠而成,m为4~9的整数;
所述混合式布拉格反射镜通过将周期性层叠材料中的一层或多层用其它材料替换所形成;其中所述周期性层叠材料包括n个周期结构B,每个周期结构B由B1和B2材料层叠而成;所述其它材料为一种或多种与所述B1和B2均不同的材料,记为B3……Bx,x为≥3的整数;n为4~9的整数;
所述A1、A2、B1、B2、B3……Bx材料各自独立地选自TiO2、SiO2、SiNx、HfO2、MgF2、ZrO2或聚甲基丙烯酸甲酯。
2.根据权利要求1所述的微显示芯片,其特征在于,所述微显示芯片还包括具有驱动电路的驱动基板,所述自发光层设置于所述驱动基板上,所述驱动基板能够单独点亮每一所述发光单元,所述发光单元为LED单元或者OLED单元,所述发光单元的尺寸为0.1μm~10μm。
3.根据权利要求1所述的微显示芯片,其特征在于,所述第一透射反射层对所述第一颜色光的反射率低于5%且透射率高于95%;和/或,
所述第一透射反射层对所述第二颜色光的反射率高于90%且透射率低于10%。
4.根据权利要求1所述的微显示芯片,其特征在于,所述第二透射反射层对所述第一颜色光的反射率高于95%且透射率低于5%;和/或,
所述第二透射反射层对所述第二颜色光的反射率低于10%且透射率高于90%。
5.根据权利要求1所述的微显示芯片,其特征在于,所述波长转换单元还包括第二波长转换单元,所述发光单元叠加所述第二波长转换单元发出第三颜色光;
所述第一透射反射层还设置为对所述第三颜色光具有高反射率和低透射率,所述第二透射反射层还设置为对所述第三颜色光具有低反射率和高透射率。
6.根据权利要求5所述的微显示芯片,其特征在于,所述第一透射反射层对所述第三颜色光的反射率高于90%且透射率低于10%,所述第二透射反射层对所述第三颜色光的反射率低于10%且透射率高于90%。
7.根据权利要求1所述的微显示芯片,其特征在于,所述波长转换单元中含有量子点和/或荧光粉。
8.根据权利要求7所述的微显示芯片,其特征在于,所述波长转换单元包含光刻胶。
9.根据权利要求1所述的微显示芯片,其特征在于,所述混合式布拉格反射镜包括n1个由B1与B2组成的周期结构和n2个由B1或B2与B3组成的周期结构,n1+n2=n。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的