[发明专利]一种微显示芯片及其制备方法有效
申请号: | 202211356839.X | 申请日: | 2022-11-01 |
公开(公告)号: | CN115472641B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 卢子元;庄永漳;仉旭;胡双元;李海波 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/46;H01L25/16 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 周坤 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 芯片 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及光学薄膜领域,具体涉及一种微显示芯片及其制备方法。包括:自发光层,发射第一颜色光;波长转换层,至少包括第一波长转换单元,叠加发光单元发出第二颜色光;第一透射反射层和/或第二透射反射层;第一透射反射层设置于自发光层与波长转换层之间;第二透射反射层设置于波长转换层的另一表面;第一透射反射层设置为对第一颜色光具有低反射率和高透射率且对第二颜色光具有高反射率和低透射率,第二透射反射层设置为对第一颜色光具有高反射率和低透射率且对第二颜色光具有低反射率和高透射率。本发明的微显示芯片能够有效提高转换光的吸光度和色纯度,继而得到更亮更纯的转换光谱。
技术领域
本发明涉及光学薄膜领域,具体涉及一种微显示芯片及其制备方法。
背景技术
Micro LED显示技术是对目前主流显示技术的有效补充,在应用上填补了目前主流显示技术的短板和空白。将其拼接性后可以满足大尺寸显示的需求。其像素级控光达到的高亮度、高色域、高对比度性能,可以满足在户外、半户外及影院场景下使用的需求,利用其超小的晶粒尺寸,可以实现上千像素密度的需求。Micro LED显示的自发光和材料稳定的特性使其在响应时间、宽温工作及储存上具有优势,能满足飞机等机载主显示器在实时性和可靠性方面的要求。利用Micro LED显示技术具有纳秒级响应时间的特性,有可能实现真正的裸眼3D显示。
虽然Micro LED显示技术具有显著的优势,但该技术尚不成熟,目前实现高性能及高亮的Micro LED显示仍面临着色纯度低、转换光亮度低等问题。
因此,发现一种提升色纯度与增加转换光亮度的微显示芯片是非常重要的。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述问题,提供一种微显示芯片及其制备方法。本发明的微显示芯片能够有效提高转换光的吸光度和色纯度,继而得到更亮更纯的转换光谱。
本发明第一方面提供了一种微显示芯片,包括:自发光层,所述自发光层包括呈阵列排布的若干发光单元,所述发光单元用于发射第一颜色光;波长转换层,设置于所述自发光层表面,所述波长转换层包括若干波长转换单元,所述波长转换单元至少包括第一波长转换单元,所述发光单元叠加所述第一波长转换单元发出第二颜色光;所述微显示芯片还包括:第一透射反射层和/或第二透射反射层;所述第一透射反射层用于设置于所述自发光层与所述波长转换层之间;所述第二透射反射层用于设置于所述波长转换层的另一表面;所述第一透射反射层设置为对所述第一颜色光具有低反射率和高透射率且对所述第二颜色光具有高反射率和低透射率,所述第二透射反射层设置为对所述第一颜色光具有高反射率和低透射率且对所述第二颜色光具有低反射率和高透射率。
可选地,所述微显示芯片包括所述第一透射反射层(不包括所述第二透射反射层)。
可选地,所述微显示芯片包括所述第二透射反射层(不包括所述第一透射反射层)。
可选地,所述微显示芯片包括所述第一透射反射层和所述第二透射反射层。
在一实例中,所述微显示芯片还包括具有驱动电路的驱动基板,所述自发光层设置于所述驱动基板上,所述驱动基板能够单独点亮每一所述发光单元,所述发光单元为LED单元或者OLED单元,所述发光单元的尺寸为0.1μm~10μm。
在一实例中,所述第一透射反射层对所述第一颜色光的反射率低于5%且透射率高于95%。
在一实例中,所述第一透射反射层对所述第二颜色光的反射率高于90%且透射率低于10%。
在一实例中,所述第二透射反射层对所述第一颜色光的反射率高于95%且透射率低于5%。
在一实例中,所述第二透射反射层对所述第二颜色光的反射率低于10%且透射率高于90%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的