[发明专利]一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置

权利要求书

1.一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，包括：一机架；其特征在于，还包括：

一滑动安装在所述机架上的反应器；

一安装在所述机架上的真空收料装置；

生产时，将所述反应器移动至所述真空收料装置并将所述反应器的兼做加料口的出料口与所述真空收料装置的收料口对接，使得反应器内反应后的硅材料被收纳于真空收料装置内。

2.如权利要求1所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，在反应时，所述反应器和所述真空收料装置采用卧式方式分设在所述机架的两侧。

3.如权利要求1或2所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，在所述机架上安装有滑轨，所述滑轨的一端延伸至所述真空收料装置处，所述反应器滑动安装在所述滑轨上。

4.如权利要求3所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述反应器采用一支架和一液压升降杆滑动安装在所述滑轨上，其中支架的下端固定在所述滑轨上，所述支架的上端固定于所述反应器的底部，所述液压升降杆的固定部分固定在所述滑轨上，所述液压升降杆的活动部分与所述反应器的出料口位置连接。

5.如权利要求4所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述反应器为涡流自热式反应器。

6.如权利要求5所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述反应器包括外壳、磁轭、感应线圈、捣打料、坩埚、氧化铝隔热密封带和坩埚封口板，所述外壳设计成密闭外壳，具有真空保压作用；所述坩埚、捣打料、感应线圈、磁轭设置在所述外壳内且捣打料填充在所述坩埚与所述外壳之间，所述坩埚封口板配置在坩埚的兼做加料口的出料口上，所述氧化铝隔热密封带密封住所述外壳与所述坩埚之间的磁轭、感应线圈、捣打料。

7.如权利要求6所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述磁轭安装在所述感应线圈的外部，用于将感应线圈固定在所述外壳的内表面上。

8.如权利要求6所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述坩埚封口板与所述坩埚的兼做加料口的出料口之间留有一通口，此通口可以用于硅材料加料和一氧化硅产品升华的出口。

9.如权利要求8所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述通口的面积为小于所述坩埚的兼做加料口的出料口面积的四分之一。

10.如权利要求6所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，在所述反应器的兼做加料口的出料口为水冷密封口，在所述水冷密封口设置有水冷密封圈。

11.如权利要求3所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述真空收料装置包括一真空收料腔体、一产品收料斗、第一真空卸料阀、接料真空腔体、第二真空卸料阀、产品收集筒和第三真空泄料阀，所述产品收料斗的进料端与所述真空收料腔体的出料口对接，在所述产品收料斗上设置有第一抽气口，在所述第一抽气口连接第一真空泵；所述第一真空卸料阀的进料口与所述产品收料斗的出料端对接，所述第一真空卸料阀的出料与所述接料真空腔体的进料口对接，在所述接料真空腔体上设置有第二抽气口，在所述第二抽气口连接第二真空泵；所述接料真空腔体的出料口与所述第二真空卸料阀的进料口对接，所述第二真空卸料阀的出料口与所述产品收集筒的进料口对接；在所述产品收集筒的进料口上设置有第三抽气口，在所述第三抽气口上连接第三真空泵。

12.如权利要求11所述的一种涡流自热式硅材料提纯连续出料真空炉装置，其特征在于，所述真空收料装置还包括一电子秤，所述产品收集筒放置在所述电子秤上，以称量所述产品收集筒所收集的产品重量。