[发明专利]一种高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法，其特征在于，所述镁铝尖晶石透明陶瓷的化学式为MgO﹒nAl₂O₃，1≤n≤2.5；

所述高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法包括：采用铝源和Mg源作为原料，按照铝镁比称取原料，加入氟化钙作为烧结助剂并混合，再经成型得到素坯，最后经过烧结，制备高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷；所述氟化钙选自氟化钙粉体和氟化钙单晶颗粒中至少一种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝源、镁源为铝、镁的氧化物/氢氧化物或镁铝尖晶石粉体的至少一种。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，铝的氧化物Al₂O₃粉体的纯度≥99.9％、粒径为50～1000nm；镁的氧化物MgO粉体的纯度≥99.9％、粒径为100～1000nm；

铝的氢氧化物Al(OH)₃的纯度≥99.9％，粒径为10～20μm；镁的氢氧化物Mg(OH)₂粉体的纯度≥99.9％，粒径为5～7μm。

4.一种高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法，其特征在于，所述镁铝尖晶石透明陶瓷的化学式为MgO﹒nAl₂O₃，1≤n≤2.5；

所述高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法包括：采用镁铝尖晶石MgO﹒nAl₂O₃粉体作为原料，加入氟化钙作为烧结助剂并混合，再经成型得到素坯，最后经过烧结，制备高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷；所述氟化钙选自氟化钙粉体和氟化钙单晶颗粒中至少一种。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述镁铝尖晶石粉体的纯度≥99.9％，粒径为20～500nm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氟化钙粉体的粒径为100～1000nm，所述氟化钙单晶颗粒的粒径为100μm～300μm。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氟化钙烧的质量浓度为100～5000ppm，优选为100～3000ppm；

优选地，当所述烧结助剂为氟化钙粉体时，质量浓度为500～2000ppm；

优选地，当烧结助剂为氟化钙单晶颗粒时，质量浓度为500～3000ppm。

8.根据权利要求1-7中所述的制备方法，其特征在于，成型的方式为干法成型或湿法成型，干法成型包括干压成型或/和冷等静压成型，湿法成型包括注浆成型、注凝成型。

9.根据权利要求1-8中所述的制备方法，其特征在于，在烧结之前，将成型后的素坯进行预烧结；

所述预烧结为无压烧结，包括：无压烧结的温度为1400～1700℃，烧结气氛为空气或真空中的一种；

优选地，在空气气氛下，采用无压烧结工艺，烧结温度为1400～1600℃，保温时间为3～6小时，控制所得烧结体的相对密度不低于96％；

优选地，真空气氛下，无压烧结工艺烧结温度为1500～1700℃，保温4～6小时，控制所得烧结体的相对密度不低于96％。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，当所述素坯中含有粘结剂时，将素坯先进行排胶处理，再进行预烧结；

所述排胶处理的温度为600～800℃、保温时间为3～6小时，以排出有机物质。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的方式为热等静压烧结；所述热等静压烧结的工艺参数为：烧结温度为1500～1700℃；保温时间为1～6小时；加压介质为氩气或氮气，压力为120～200MPa。