[发明专利]一种磁子自旋力矩器件、存储结构及电子设备

权利要求书

1.一种磁子自旋力矩器件，其特征在于，包括：

衬底，设置在所述衬底上的自旋源层，设置在所述自旋源层远离所述衬底一侧的磁子传输层，设置在所述磁子传输层远离所述衬底一侧的磁性结构层，其中，所述磁子传输层包括多铁反铁磁材料。

2.根据权利要求1所述的磁子自旋力矩器件，其特征在于，所述多铁反铁磁材料包括以下至少之一：铁酸铋、铁酸铋镧、锰酸铽、锰酸钙、锰酸镥、锰酸锶钡。

3.根据权利要求1所述的磁子自旋力矩器件，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述磁子传输层的厚度为2至1000纳米。

4.根据权利要求1所述的磁子自旋力矩器件，其特征在于，所述自旋源层的材料包括以下至少之一：铂、钽、钨、锡、铂锰合金、二碲化钨、铋锑合金、铱锰合金、二氧化铱、钌酸锶、铱酸锶。

5.根据权利要求1所述的磁子自旋力矩器件，其特征在于，所述磁性结构层包括一层或多层垂直磁各向异性薄膜。

6.根据权利要求1所述的磁子自旋力矩器件，其特征在于，所述磁性结构层的材料包括以下至少之一：钴、钴铁硼、碲化铁、镧锶锰氧化物、铂钴单层和铂钴多层。

7.根据权利要求1至6任一所述的磁子自旋力矩器件，其特征在于，所述磁子自旋力矩器件还包括：设置在所述磁性结构层远离所述衬底一侧的电极，在平行于所述衬底的平面上，所述电极的正投影与所述磁子传输层的正投影存在交叠。

8.一种存储结构，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上的自旋源层，设置在所述自旋源层远离所述衬底一侧的磁子传输层，设置在所述磁子传输层远离所述衬底一侧的至少一个磁记录单元，设置在所述磁记录单元远离所述衬底一侧的电极，在平行于所述衬底的平面上，所述电极的正投影与所述磁子传输层的正投影存在交叠，其中，所述磁子传输层包括多铁反铁磁材料。

9.根据权利要求8所述的存储结构，其特征在于，所述电极与所述磁记录单元一一对应。

10.根据权利要求8所述的存储结构，其特征在于，所述多铁反铁磁材料包括以下至少之一：铁酸铋、铁酸铋镧、锰酸铽、锰酸钙、锰酸镥、锰酸锶钡。

11.根据权利要求8所述的存储结构，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述磁子传输层的厚度为2至1000纳米。

12.根据权利要求8所述的存储结构，其特征在于，所述自旋源层的材料包括以下至少之一：铂、钽、钨、锡、铂锰合金、二碲化钨、铋锑合金、铱锰合金、二氧化铱、钌酸锶、铱酸锶。

13.根据权利要求8至12任一所述的存储结构，其特征在于，所述磁记录单元包括：依次设置在所述磁子传输层远离所述衬底一侧的自由层、势垒层、固定层，且所述自由层、固定层垂直磁各向异性。

14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求8至13任一所述的存储结构。

15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：与所述磁记录单元对应的第一开关单元，第二开关单元，所述第一开关单元分别与第一位线端、第二位线端和对应的磁记录单元的所述电极连接；所述第二开关单元与第三位线端、第一字线端和所述自旋源层的一端连接；其中，

所述第一开关单元被配置为，在所述第一位线端的控制下，向所述电极提供所述第二位线端的信号；

所述第二开关单元被配置为，在所述第一字线端的控制下，向所述自旋源层提供所述第三位线端的信号。