[发明专利]适用薄型小体积半导体框架的一体式固化炉在审
申请号: | 202211380521.5 | 申请日: | 2022-11-04 |
公开(公告)号: | CN115642117A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 向军 | 申请(专利权)人: | 江苏新智达新能源设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人: | 陈章 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适用 薄型小 体积 半导体 框架 体式 固化 | ||
本发明提供了适用薄型小体积半导体框架的一体式固化炉,包括沿横向依次设置的上料机构、固化机构、下料机构以及纵向设置在所述下料机构后方的收料机构,所述上料机构包括纵向设置的滑台、设置在所述滑台上的取料吸嘴、设置在所述固化机构左侧的装载台;所述固化机构包括固化台和能够盖合在所述固化台上的炉盖,所述固化台上设有若干个不同温度的加热区,所述加热区上横向设置有若干个凹槽,所述固化台的下方设有能够将料片从装载台经过固化机构移转到下料机构上的步进机构;所述下料机构对已完成固化的料片进行移位对中并纵向移转至所述收料机构;所述收料机构设置有接收所述下料机构移转来的所述料片的料盒。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及适用薄型小体积半导体框架的一体式固化炉。
背景技术
半导体在封装制造过程中,固化是将组装之后的芯片与料片框架(简称料片或框架)通过200-400°C的温度将其组合在一起形成金属连接的过程,完成了固化后才能进行后续的塑封、测试等环节。固化是需要将完成了贴片固晶的半成品置于固化炉中进行烧结、固化,使待封装体变为致密、坚硬的烧结体,现有的固化炉一般为分体式结构,主要针对的是大体积、厚度较高的框架料片进行封装,固化炉一般也是以固化炉体为主体结构,在固化炉中通常采用较大直径搬运杆进行搬运,且固化炉中由于要满足搬运杆体积要求,通常会采用大间距的加热块进行加热,这样的结构特征不适合薄型小体积框架的固化环境。
且现有固化方式在固化后道的下料、收料或者装叠等操作多是通过人工进行或者在固化工序后端利用冷却装置将料片冷却后辅以外部的机械手、橡胶吸嘴等分体式收料机构进行。
对于较薄的且小体积的料片框架封装时由于封装固化的节拍时间较短,在封装时是处于快速工序移转的状态,因此无法设置待料区域等到料片框架冷却后移转,必须要做到在线式下料和收料的操作,现有的机械手橡胶吸嘴搬运的方式无法满足对固化炉中及时移转出来的料片进行操作的要求,且传统料片移转的空间大、结构复杂,会造成现有的固化炉体积过大,无法满足封装产线中对小空间紧凑型结构的需求,因此传统的固化设备已经无法满足现有的薄型、小料片的固化工况。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供了适用薄型小体积半导体框架的一体式固化炉解决了现有固化炉炉体结构不适合薄型小框架,炉中炉前及炉后工序多采用分体式大空间占用的方式,且不能够在线式对完成封装的料片框架进行及时下料、收料的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:适用薄型小体积半导体框架的一体式固化炉,包括沿横向依次设置的上料机构、固化机构、下料机构以及纵向设置在所述下料机构后方的收料机构,所述上料机构包括纵向设置的滑台、设置在所述滑台上的取料吸嘴、设置在所述固化机构左侧的装载台;所述固化机构包括固化台和能够盖合在所述固化台上的炉盖,所述固化台上设有若干个不同温度的加热区,所述加热区上横向设置有若干个凹槽,所述固化台的下方设有能够将料片从装载台经过固化机构移转到下料机构上的步进机构;所述下料机构对已完成固化的料片进行移位对中并纵向移转至所述收料机构;所述收料机构设置有接收所述下料机构移转来的所述料片的料盒。
进一步地:所述下料机构包括将料片移转至所述收料机构的输送辊和用于将料片夹紧对中的对中机构;所述对中机构包括沿横向间隔平行设置的主对中板和从对中板,所述主对中板和所述从对中板上端均设有若干个能够向上伸出所述输送辊的对中杆;在所述主对中板和所述从对中板之间设置有对中导向机构,在所述主对中板上设置有对中驱动机构,所述对中驱动机构驱动所述主对中板远离或接近所述从对中板移动;所述主对中板和所述从对中板之间设有二根叠放的推杆,二根所述推杆的中部设置有铰接轴,二根所述推杆沿所述铰接轴转动,二根所述推杆的两端设置有轴承,所述主对中板和所述从对中板的底端设置有纵向的滚道,所述轴承可沿所述滚道滚动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造