[发明专利]光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质

说明书

本申请提供了一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质，该方法包括：获取多个初始优化图形；对多个初始优化图形进行傅里叶变换得到各个初始优化图形分别对应的频谱；检测各个初始优化图形分别对应的频谱与其他频谱重复的个数，并根据从大到小重复的个数对各个初始优化图形进行排序；对各个初始优化图形的特征尺寸进行排序；选择各个初始优化图形中排序前第一预设名次的图形、后第二预设名次的图形和各个初始优化图形中特征尺寸最小的图形作为最终优化图形。从而本申请提出的基于频谱重复量的优化图形选择方式可以避免基于经验的选择方式中图形选择较为盲目的现象，降低了图形选择难度和时间成本，同时也提升了模型校准精度。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域，特别涉及一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质。

背景技术

光刻机是半导体生产和制造中重要的设备，在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。光刻工艺通过光学曝光的方式将掩模版上的图形复制到涂覆于硅片表面的光刻胶中，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形进一步转移到硅片上。光刻工艺直接决定了集成电路器件中的特征尺寸，是大规模集成电路制造中的关键工艺。

光刻工艺过程可以用光学模型和光刻胶模型来描述。其中光刻胶模型描述的是光学潜像中的光子激发光刻胶发生一系列光化学反应，经过烘烤和显影过程后，最终留下光刻胶图形。为了更加准确的计算出光刻结果，光刻胶模型从原来的阈值模型发展为针对特定光刻工艺和特定光刻胶的精确模型。然而在光刻发展的过程中，总有新型光刻技术和光刻胶的出现，这就意味着原来的模型参数不再适用于新型的光刻工艺，就需要进行模型的校准。在模型校准过程中必然会面临优化图形选择的问题。

因此，如何合适的选择光刻胶模型校准的优化图形，从而提高光刻胶模型的准确度，是本领域需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，提供该发明内容部分以便以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该发明内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。

本申请的目的在于提供一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质，降低了图形选择难度和时间成本，同时也提升了模型校准精度。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供了一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法，包括：

获取多个初始优化图形；

对多个所述初始优化图形进行傅里叶变换得到各个所述初始优化图形分别对应的频谱；

检测各个所述初始优化图形分别对应的频谱与其他频谱重复的个数，并根据从大到小所述重复的个数对各个所述初始优化图形进行排序；

对各个所述初始优化图形的特征尺寸进行排序；

选择各个所述初始优化图形中排序前第一预设名次的图形、后第二预设名次的图形和各个所述初始优化图形中特征尺寸最小的图形作为最终优化图形。

在一种可能的实现方式中，所述对多个所述初始优化图形进行傅里叶变换得到各个所述初始优化图形分别对应的频谱，包括：

根据各个所述初始优化图形的特征尺寸、周期和空域坐标进行傅里叶变换得到各个所述初始优化图形的频域坐标。

在一种可能的实现方式中，所述初始优化图形的数量包括三个以上。

在一种可能的实现方式中，在利用所述最终优化图形进行光刻胶模型校准后，还包括：

计算校准后的所述光刻胶模型对所述最终优化图形的平均误差的均方根值。

第二方面，本申请实施例提供了一种光刻胶模型校准的优化图形选择装置，包括：