[发明专利]HEK293单克隆细胞群的培养方法在审
| 申请号： | 202211387334.X | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115747137A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王帅;王宇婷;魏仙仙;刘忠凯;裴秀芝;卢世香;刁树青 | 申请（专利权）人： | 青岛万明赛伯药业有限公司 |
| 主分类号： | C12N5/071 | 分类号： | C12N5/071 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 郝文婷;陈悦军 |
| 地址： | 266216 山东省青岛市即墨*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | hek293 单克隆 细胞 培养 方法 | ||
1.一种HEK293单克隆细胞群的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：
利用有限稀释法，将HEK293细胞进行单克隆铺板，以第一培养基进行培养；
选取阳性克隆孔；
以第二培养基对所述阳性克隆孔中的细胞进行扩增培养，得到HEK293单克隆细胞群；
其中，所述第一培养基为添加有FBS的DMEM培养基和/或MEM培养基；
所述第二培养基包含FreeStyle293培养基。
2.根据权利要求1所述的培养方法，其特征在于，所述第一培养基中，所述FBS的含量为5％-20％，优选15％。
3.根据权利要求1或2所述的培养方法，其特征在于，所述第二培养基还包含DMEM培养基和/或MEM培养基。
4.根据权利要求1-3任一项所述的培养方法，其特征在于，所述第二培养基中还包含0-5％的FBS。
5.根据权利要求1-4任一项所述的培养方法，其特征在于，以所述第一培养基进行培养的天数为5-8天，优选7天；和/或
以所述第二培养基进行扩增培养的天数为13天以上，优选18-25天。
6.根据权利要求1-5任一项所述的培养方法，其特征在于，所述单克隆铺板中，所述板为96孔板。
7.根据权利要求1-6任一项所述的培养方法，其特征在于，所述扩增培养包括：
(i)在96孔板中对所述阳性克隆进行扩增培养，直至细胞汇合率为40％-100％，优选90％；
(ii)将步骤(i)所得细胞群转移至24孔板中进行扩增培养，直至细胞汇合率为80％-100％，优选90％；
(iii)将步骤(ii)所得细胞群转移至6孔板中进行扩增培养，直至细胞汇合率为80％-100％，优选90％，得到HEK293单克隆细胞群。
8.根据权利要求7所述的培养方法，其特征在于，所述扩增培养进一步包括：
(iv)将步骤(iii)所得细胞群转移至培养瓶中进行扩增培养，直至细胞活率大于90％，得到HEK293单克隆细胞群。
9.根据权利要求7或8所述的培养方法，其特征在于，步骤(i)中，所述扩增培养中，所述第二培养基为添加有5％FBS的FreeStyle293培养基；
步骤(ii)中，所述扩增培养中，所述第二培养基为添加有2％-5％FBS的FreeStyle293培养基；和/或
所述步骤(iii)中，所述扩增培养中，所述第二培养基为添加有0-2％FBS的FreeStyle293培养基；和/或
所述步骤(iv)中，所述扩增培养中，所述第二培养基为不添加血清的FreeStyle293培养基或其他HEK293无血清培养基。
10.根据权利要求1-9任一项所述的培养方法，其特征在于，以所述第一培养基进行培养和/或以所述第二培养基进行扩增培养是在37℃、5％-8％CO2环境下进行。
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