[发明专利]一种芯片深沟腐蚀装置在审
申请号: | 202211387658.3 | 申请日: | 2022-11-07 |
公开(公告)号: | CN115547893A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 贾壮壮 | 申请(专利权)人: | 贾壮壮 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 256300 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 深沟 腐蚀 装置 | ||
1.一种芯片深沟腐蚀装置,包括装置主体(1),其特征在于:所述装置主体(1)的内壁底部转动安装有转杆(5),所述转杆(5)通过外接电机驱动,所述转杆(5)的顶部外壁套接且滑动安装有承载盘(3),所述承载盘(3)的底部与装置主体(1)的内壁底部之间设有弹簧,所述装置主体(1)的内壁左侧和右侧均固定有电动伸缩杆(2),所述电动伸缩杆(2)的伸缩端底部固定有环架(4),所述承载盘(3)的底面与环架(4)的顶面接触,所述环架(4)的外侧设置有防旋涡装置(6),所述防旋涡装置(6)包括滑环(61)和凸球块(64),所述滑环(61)滑动安装在装置主体(1)的内部,所述滑环(61)的内壁顶部与环架(4)的顶部之间设有弹簧,所述滑环(61)的顶部固定有若干个斜叶(62),所述滑环(61)的底部固定有凸球板(63),所述凸球块(64)固定在承载盘(3)的内壁顶部。
2.根据权利要求1所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述凸球板(63)远离装置主体(1)内壁的一侧顶部固定有凸块,所述凸球板(63)的凸块位于凸球块(64)的运动轨迹上。
3.根据权利要求1所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述凸球板(63)的下方设置有涌动装置(7),所述涌动装置(7)包括空腔盒(71)推板(73),所述推板(73)固定在凸球板(63)的底部,所述推板(73)的顶部固定有通槽滑板(74),所述通槽滑板(74)的顶面左侧和右侧均开设有通槽,所述通槽滑板(74)的通槽内部铰接有挡板(75),所述挡板(75)与通槽滑板(74)的通槽内壁之间设有扭簧,所述通槽滑板(74)与空腔盒(71)的内部滑动连接,所述通槽滑板(74)的底部与空腔盒(71)的内壁底部之间设有弹片,所述空腔盒(71)靠近装置主体(1)内壁的一侧固定有L形管(72)。
4.根据权利要求3所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述L形管(72)的顶部为弯折设置,且L形管(72)弯折部分朝向承载盘(3)的方向。
5.根据权利要求3所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述推板(73)的外侧设置有流通装置(9),所述流通装置(9)包括固定杆(91),所述固定杆(91)滑动安装在承载盘(3)的内壁顶部,且固定杆(91)对应的滑槽为环形,所述固定杆(91)的底部固定有扇动板(92),所述扇动板(92)套接且滑动安装在推板(73)的外侧,所述扇动板(92)与空腔盒(71)的顶部之间设有弹板(93)。
6.根据权利要求5所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述扇动板(92)与空腔盒(71)的顶部之间留有二十厘米的间隙。
7.根据权利要求1所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述环架(4)的上方设置有辅助甩水装置(8),所述辅助甩水装置(8)包括固定环(81),所述固定环(81)固定在装置主体(1)的内壁表面,所述固定环(81)的底部固定有空心杆(82),所述空心杆(82)的底部贯穿且滑动安装有弹杆(83),所述弹杆(83)的底部固定有三角卡块(84),所述三角卡块(84)滑动安装在环架(4)的顶部。
8.根据权利要求7所述的一种芯片深沟腐蚀装置,其特征在于:所述所述弹杆(83)的底部为向装置主体(1)的方向弯曲设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贾壮壮,未经贾壮壮许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211387658.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种预防伪狂犬病净化猪舍
- 下一篇:一种具有辅助定位的玻璃钢喷涂机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造