[发明专利]一种芯片深沟腐蚀装置在审
申请号: | 202211387658.3 | 申请日: | 2022-11-07 |
公开(公告)号: | CN115547893A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 贾壮壮 | 申请(专利权)人: | 贾壮壮 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 256300 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 深沟 腐蚀 装置 | ||
本发明公开了一种芯片深沟腐蚀装置,涉及芯片加工技术领域。本发明包括装置主体,所述装置主体的内壁底部转动安装有转杆,所述转杆通过外接电机驱动,所述转杆的顶部外壁套接且滑动安装有承载盘,所述承载盘的底部与装置主体的内壁底部之间设有弹簧,所述装置主体的内壁左侧和右侧均固定有电动伸缩杆。本发明通过防旋涡装置的设置,使得通过斜叶的设置,使得酸液流过斜叶时,斜叶对流动的酸液进行阻挡,从而避免了装置主体内酸液的液面产生波浪或漩涡,导致芯片露出液面的问题,从而确保了芯片腐蚀质量,同时承载盘、凸球块和滑环配合带动斜叶对酸液产生的旋涡外围进行拍击,从而进一步避免了酸液产生旋涡的问题。
技术领域
本发明涉及芯片加工技术领域,具体为一种芯片深沟腐蚀装置。
背景技术
在芯片生产过程中需要对芯片进行深沟腐蚀工艺,主要是将需要腐蚀的芯片放置在芯片容纳盒中,在酸槽底部安装有与芯片容纳盒连接的旋转轴,旋转轴带动芯片容纳盒转动,使得芯片不停地在酸槽内循环腐蚀。
专利公告号为CN216711596U的实用新型专利公开了一种MEMS敏感芯片的湿法腐蚀装置,涉及到芯片生产领域,包括装置主体,所述装置主体的开口两端内壁上均固定连接有同步气缸,所述同步气缸的输出端连接有气缸推杆,所述同步气缸的下方设置有清理块。该实用新型通过在装置主体内设置有放置盘,放置盘通过连接柱与电机的输出轴连接,使得电机能够带动放置盘转动,带动放置盘上的芯片转动,提高了芯片腐蚀的效率,同时在装置主体上设置有同步气缸,同步气缸上的气缸推杆通过连接板带动放置盘向上移动,能够将放置盘移出腐蚀液,同时再通过电机带动放置盘转动,通过离心力将芯片上附着的腐蚀液甩出,达到了清理的效率,同时甩出的腐蚀液落到装置内,不会造成浪费。
但是目前腐蚀装置存在以下问题:该腐蚀装置在对芯片深沟腐蚀的过程中,酸槽内酸液的液面会产生波浪或漩涡,使得芯片容易露出液面,影响腐蚀质量,且酸液易受旋涡作用产生外溅,因此,我们提出了一种芯片深沟腐蚀装置。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种芯片深沟腐蚀装置,解决了上述背景技术中提出的该腐蚀装置在对芯片深沟腐蚀的过程中,酸槽内酸液的液面会产生波浪或漩涡,使得芯片容易露出液面,影响腐蚀质量,且酸液易受旋涡作用产生外溅问题。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种芯片深沟腐蚀装置,包括装置主体,所述装置主体的内壁底部转动安装有转杆,所述转杆通过外接电机驱动,所述转杆的顶部外壁套接且滑动安装有承载盘,所述承载盘的底部与装置主体的内壁底部之间设有弹簧,所述装置主体的内壁左侧和右侧均固定有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆的伸缩端底部固定有环架,所述承载盘的底面与环架的顶面接触,所述环架的外侧设置有防旋涡装置,所述防旋涡装置包括滑环和凸球块,所述滑环滑动安装在装置主体的内部,所述滑环的内壁顶部与环架的顶部之间设有弹簧,所述滑环的顶部固定有若干个斜叶,所述滑环的底部固定有凸球板,所述凸球块固定在承载盘的内壁顶部,所述凸球板远离装置主体内壁的一侧顶部固定有凸块,所述凸球板的凸块位于凸球块的运动轨迹上,通过斜叶的设置,使得斜叶对流动的酸液进行阻挡,从而避免了装置主体内酸液的液面产生波浪或漩涡,导致芯片露出液面的问题,从而确保了芯片腐蚀质量,同时承载盘带动凸球块转动,凸球块通过推动凸球板的凸块带动滑环沿着装置主体内部向下移动,滑环带动斜叶向下移动,从而使得斜叶对酸液产生的旋涡外围进行拍击,从而进一步避免了酸液产生旋涡的问题,同时斜叶可对溅起的酸液进行阻挡,从而避免了酸液外溅引发安全事故的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造