[发明专利]基板共形屏蔽封装方法及结构在审
申请号: | 202211394172.2 | 申请日: | 2022-11-08 |
公开(公告)号: | CN115763275A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 洪胜平;林红宽;余财祥;周斌;葛恒东 | 申请(专利权)人: | 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31 |
代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 韩正魁;陈曦 |
地址: | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板共形 屏蔽 封装 方法 结构 | ||
1.一种基板共形屏蔽封装方法,其特征在于包括如下步骤:
在基板上贴装多个电子元件,以形成多个电子模组;其中,相邻两个电子模组之间形成切割道;
将所述多个电子模组进行塑封,并将塑封后的电子模组贴装在附有粘合膜的载板上;
在所述切割道处进行切割,以将多个所述电子模组分隔开;
对各个所述电子模组进行电磁屏蔽处理,形成电磁屏蔽层,并将所述电磁屏蔽层接地;
将电磁屏蔽后的所述电子模组从所述粘合膜上分离,并分别进行封装。
2.如权利要求1所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于:
所述基板内预设有多个接地柱,每一个所述电子模组均对应至少一个所述接地柱,所述接地柱上连接有金属线,且所述金属线引出至所述电子模组对应的切割道内。
3.如权利要求1所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于:
在所述切割道处进行切割时,切入且不切透所述粘合膜。
4.如权利要求1所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于:
对所述切割道处进行切割的方式至少包括:通过切割刀进行机械切割或通过镭射光线进行镭射切割。
5.如权利要求2所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于对各个所述电子模组进行电磁屏蔽处理,形成电磁屏蔽层,并将所述电磁屏蔽层接地包括:
在所述电子模组的顶部及四周电镀或溅射金属材料,以形成所述电磁屏蔽层,并使得所述电磁屏蔽层与切割道内裸露的金属线相接触,从而通过所述接地柱进行接地。
6.如权利要求1所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于所述将电磁屏蔽后的所述电子模组从所述粘合膜上分离,并进行封装包括:
在电磁屏蔽后的多个所述电子模组顶部覆盖翻贴膜,以将电磁屏蔽后的多个所述电子模组共同从载板的粘合膜上分离;
将各个所述电子模组分别从所述翻贴膜上分离,以分别进行封装。
7.如权利要求6所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于:
覆盖翻贴膜后,通过光、热方式降低所述粘合膜的黏度,以使得所述粘合膜的黏度低于所述翻贴膜的黏度,从而将电磁屏蔽后的多个所述电子模组共同从载板上的粘合膜上分离。
8.如权利要求6所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于:
所述翻贴膜由光固化材料或热固化材料制成,所述粘合膜由光固化材料或热固化材料制成。
9.如权利要求1~8中任意一项所述的基板共形屏蔽封装方法,其特征在于:
所述切割道的切割宽度为150um~500um。
10.一种基板共形屏蔽封装结构,其特征在于包括:
载板,所述载板的表面设有粘合膜;
基板,贴装于所述粘合膜上,且所述基板上贴装有多个电子元件,以形成多个电子模组;其中,相邻两个所述电子模组之间形成切割道,所述基板内预设有多个接地柱,每一个所述电子模组均对应至少一个所述接地柱,所述接地柱上连接有金属线,且所述金属线引出至所述电子模组对应的切割道内;
塑封体,填充于所述基板上,以塑封所述多个电子模组;
电磁屏蔽层,包覆在所述塑封体的表面,且所述电磁屏蔽层与引出至所述切割道内的金属线相接触;
翻贴膜,覆盖在所述电磁屏蔽层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京唯捷创芯精测科技有限责任公司,未经北京唯捷创芯精测科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211394172.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造