[发明专利]晶圆指导装置及利用其的晶圆指导方法在审
申请号: | 202211397290.9 | 申请日: | 2022-11-09 |
公开(公告)号: | CN116266553A | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 李忠禹;朴太东;朴昌俊;金珍焕 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 指导 装置 利用 方法 | ||
1.一种晶圆指导装置,调节配置在静电卡盘之上的晶圆的位置,其中,所述晶圆指导装置包括:
激光距离传感器,配置在所述静电卡盘是上侧;以及
控制部,控制移送所述晶圆的机器人,
通过所述控制部,利用所述激光距离传感器而确认静电卡盘和配置在静电卡盘之上的晶圆的相对位置,并利用确认到的静电卡盘和晶圆的相对位置而指导所述晶圆的位置,以使所述晶圆能够移送到规定位置。
2.根据权利要求1所述的晶圆指导装置,其中,
所述激光距离传感器设置三个以上,
各个激光距离传感器分别计量从第一定点到位于第一直线上的所述静电卡盘的边缘的距离,以及在所述晶圆配置于所述静电卡盘之上的状态下从所述第一直线之上的第一定点到所述晶圆的边缘的距离,所述第一定点是所述第一直线之上的点中的位于所述静电卡盘的内部的任一点,所述第一直线是经过所述静电卡盘的中心的虚拟直线,
计算第一定点和静电卡盘边缘之间的距离以及从第一定点到晶圆边缘的距离之差,
比较在各个激光距离传感器中计量的距离之差而指导所述晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆指导装置,其中,
从所述第一直线之上的第一定点到静电卡盘边缘的距离是重复计量从第一定点延长到第二定点的线段的各点与激光距离传感器之间的距离而求得,所述第二定点是在第一直线之上且在静电卡盘外的任一点。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆指导装置,其中,
从所述第一直线之上的第一定点到晶圆边缘的距离重复计量从第一定点延长到第三定点的线段的各点与激光距离传感器之间的距离而求得,所述第三定点是在第一直线上且在晶圆外的任一点。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆指导装置,其中,
所述激光距离传感器构成为组合有多个激光距离传感器的模组形式。
6.根据权利要求4所述的晶圆指导装置,其中,
所述激光距离传感器构成为组合有多个激光距离传感器的模组形式。
7.根据权利要求1所述的晶圆指导装置,其中,
所述激光距离传感器设置三个以上,
计量从第一定点到位于第一直线上的所述静电卡盘的边缘的距离而确认静电卡盘边缘的坐标,所述第一定点是所述第一直线中的位于所述静电卡盘的内部的任一点,所述第一直线是经过所述静电卡盘的中心的虚拟直线,
计量从所述第一直线之上的第一定点到所述晶圆的边缘的距离而确认晶圆边缘的坐标,
利用在各个激光距离传感器中确认到的坐标,分别计算并比较静电卡盘和晶圆的中心坐标而指导所述晶圆。
8.根据权利要求7所述的晶圆指导装置,其中,
从所述第一直线之上的第一定点到静电卡盘边缘的距离重复计量从第一定点延长到第二定点的线段的各点与激光距离传感器之间的距离而求得,所述第二定点是在第一直线之上且在静电卡盘外的任一点。
9.根据权利要求7或8所述的晶圆指导装置,其中,
从所述第一直线之上的第一定点到晶圆边缘的距离重复计量从第一定点延长到第三定点的线段的各点与激光距离传感器之间的距离而求得,所述第三定点是在第一直线之上且在晶圆外的任一点。
10.根据权利要求7或8所述的晶圆指导装置,其中,
所述激光距离传感器构成为组合有多个激光距离传感器的模组形式。
11.一种晶圆指导方法,调节配置在静电卡盘之上的晶圆的位置,其中,所述晶圆指导方法包括:
第一计量步骤,利用激光距离传感器而计量静电卡盘的位置;以及
第二计量步骤,利用所述激光距离传感器而计量配置在静电卡盘之上的晶圆的位置,
利用在所述第一计量步骤中计量的静电卡盘的位置和在所述第二计量步骤中计量的所述晶圆的位置而指导所述晶圆的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造