[发明专利]划片方法在审
| 申请号： | 202211397300.9 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115579325A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 刘秀勇;李志国;马栋;王丽 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 划片 方法 | ||
1.一种划片方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片，其中，所述切割道位于相邻的所述芯片之间；
形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；
刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方；
对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。
2.根据权利要求1所述的划片方法，其特征在于，所述刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方步骤包括：
在所述钝化层上涂覆一光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光以得到图案化的光刻胶层；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方。
3.根据权利要求1或2所述的划片方法，其特征在于，所述沟槽在竖直方向的水平投影位于所述切割道内侧。
4.根据权利要求1或2所述的划片方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层以得到多条所述沟槽。
5.根据权利要求1所述的划片方法，其特征在于，每个所述切割道的上方的所述钝化层中形成有至少两条所述沟槽，所述沟槽分别靠近所述切割道两侧的所述芯片。
6.根据权利要求1所述的划片方法，其特征在于，所述钝化层为SiO2、SiNx或者磷硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的划片方法，其特征在于，采用机械切割工艺对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。
8.根据权利要求1所述的划片方法，其特征在于，采用激光隐形切割工艺对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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