[发明专利]划片方法

说明书

本发明提供一种划片方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方；对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。本申请通过对切割道上的钝化层进行刻蚀，使得切割道上的钝化层与芯片上的钝化层隔离，避免了划片时钝化层以及其底部的芯片发生崩角、崩边或裂纹等缺陷的问题，在划片时芯片上的钝化层可以不受划片影响，从而使得芯片内部电路结构不受到任何影响，提高了划片的效率，保证了器件的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种划片方法。

背景技术

功率器件的制造过程中，为了解决一些问题，例如化学镀芯片产品为了保证芯片(die)四周的划片槽(切割道)不被化学镀上金属的问题，以及，为了降低芯片与划片槽表面高度不一致的高低台阶带来的缺陷问题等问题，都会在用钝化层覆盖die以保护die的同时，也会选择用钝化层覆盖划片槽区域。但是，划片槽表面覆盖钝化层将增加后续的划片难度，划片时钝化层以及其底部的芯片容易发生崩角、崩边或crack(裂纹)等缺陷影响到管芯内部电路结构，从而对芯片产品(器件)失去保护作用，影响器件的可靠性。

发明内容

本申请提供了一种划片方法，可以解决划片时芯片发生崩角、崩边或裂纹等缺陷导致管芯内部受到影响的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种划片方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片，其中，所述切割道位于相邻的所述芯片之间；

形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；

刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方；

对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。

可选的，在所述划片方法中，所述刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方步骤包括：

在所述钝化层上涂覆一光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光以得到图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方。

可选的，在所述划片方法中，所述沟槽在竖直方向的水平投影位于所述切割道内侧。

可选的，在所述划片方法中，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层以得到多条所述沟槽。

可选的，在所述划片方法中，每个所述切割道的上方的所述钝化层中形成有至少两条所述沟槽，所述沟槽分别靠近所述切割道两侧的所述芯片。

可选的，在所述划片方法中，所述钝化层为SiO2、SiN_x或者磷硅玻璃。

可选的，在所述划片方法中，采用机械切割工艺对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。

可选的，在所述划片方法中，采用激光隐形切割工艺对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。

本申请技术方案，至少包括如下优点：