[发明专利]一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构

权利要求书

1.一种原子点缺陷的制备方法，其特征在于，包括：

准备衬底；

在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；

对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。

2.如权利要求1所述的原子点缺陷的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜包括：

采用原子层沉积技术、离子束沉积技术、磁控溅射技术中的任一种，在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜。

3.如权利要求1所述的原子点缺陷的制备方法，其特征在于，在对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理时，退火温度大于500℃，退火时间大于3秒。

4.如权利要求1所述的原子点缺陷的制备方法，其特征在于，所述衬底的厚度大于150μm。

5.如权利要求1所述的原子点缺陷的制备方法，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。

6.如权利要求1所述的原子点缺陷的制备方法，其特征在于，所述衬底为硬质衬底。

7.如权利要求6所述的原子点缺陷的制备方法，其特征在于，所述硬质衬底为硅衬底。

8.一种具有原子点缺陷的结构，其特征在于，所述具有原子点缺陷的结构采用如权利要求1至7任一项所述的原子点缺陷的制备方法得到。