[发明专利]一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构

说明书

本申请公开了一种本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。

技术领域

本申请涉及原子点缺陷制备领域，特别是涉及一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构。

背景技术

原子点缺陷在单光子源、量子比特等应用中具有广泛应用潜力，目前在形成原子点缺陷时，通常采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)或者MBE(Molecular Beam Epitaxy，分子束外延)的方式在蓝宝石衬底或者同质衬底上生长晶体结构的薄膜，晶体结构的薄膜中有原子点缺陷。但是，通过MOCVD或者MBE生长晶体结构薄膜的方式工艺控制复杂，难度高，即原子点缺陷的制备工艺复杂，难度高。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构，以简化原子点缺陷的制备工艺，降低制备难度。

为解决上述技术问题，本申请提供一种原子点缺陷的制备方法，包括：

准备衬底；

在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；

对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。

可选的，所述在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜包括：

采用原子层沉积技术、离子束沉积技术、磁控溅射技术中的任一种，在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜。

可选的，在对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理时，退火温度大于500℃，退火时间大于3秒。

可选的，所述衬底的厚度大于150μm。

可选的，所述衬底为柔性衬底。

可选的，所述衬底为硬质衬底。

可选的，所述硬质衬底为硅衬底。

本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构，所述具有原子点缺陷的结构采用上述任一种所述的原子点缺陷的制备方法得到。

本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。

可见，本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。

此外，本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。

附图说明