[发明专利]一种等离子体光刻成像方法及装置

权利要求书

1.一种等离子体光刻成像方法，其特征在于，包括：

获取等离子体光刻成像的目标成像结构，所述目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形；

将所述目标掩模图形输入快速成像模型，得到所述目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，所述快速成像模型是利用所述目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个训练掩模图形包括第一训练掩模图形，所述训练等离子体光刻成像包括第一训练等离子体光刻成像，所述方法还包括：

获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的周期长度按照第一固定步长依次增加；

将所述多个第一训练掩模图形转换为第一矩阵；

获取多个第一训练掩模图形每个第一训练掩模图形对应的第一训练等离子体光刻成像；

将所述多个第一训练等离子体光刻成像转换为第二矩阵；

根据所述第一矩阵和所述第二矩阵训练所述快速成像模型。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一训练掩模图形包括透光的第一部分和不透光的第二部分；

所述将所述多个第一训练掩模图形转换为第一矩阵包括：

将所述第一部分转换为第一矩阵的第一参数，将所述第二部分转换为第一矩阵的第二参数。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述目标成像结构构建仿真模型；

根据所述仿真模型模拟得到所述第一训练等离子体光刻成像在单个周期内的多个光强数值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述多个第一训练等离子体光刻成像转换为第二矩阵包括：

将所述多个第一训练等离子体光刻成像在单个周期内的多个光强数值转换为所述第二矩阵。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个训练掩模图形包括第二训练掩模图形，所述训练等离子体光刻成像包括第二训练等离子体光刻成像，所述方法还包括：

获取多个所述第二训练掩模图形，所述多个第二训练掩模图形的周期长度按照第二固定步长依次增加，所述第二固定步长小于所述第一固定步长，所述第一训练掩模图形的周期长度范围包括所述第二训练掩模图形的周期长度范围；

将所述多个第二训练掩模图形转换为第三矩阵；

获取多个第二训练掩模图形每个第二训练掩模图形对应的第二训练等离子体光刻成像；

将所述多个第二训练等离子体光刻成像转换为第四矩阵；

继续根据所述第三矩阵和所述第四矩阵训练所述快速成像模型。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的周期长度按照第一固定步长依次增加包括：

获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的第一部分长度不变，所述多个第一训练掩模图形的第二部分的长度按照第一固定步长依次增加。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的周期长度按照第一固定步长依次增加包括：

获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的第二部分长度不变，所述多个第一训练掩模图形的第一部分的长度按照第一固定步长依次增加。

9.根据权利要求2-8任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取多个测试掩模图形，所述多个测试掩模图形的周期长度按照第三固定步长依次增加，所述第三固定步长小于所述第一固定步长；

将所述多个测试掩模图形转换为第五矩阵；

获取多个测试掩模图形每个测试掩模图形对应的测试等离子体光刻成像；

将所述多个测试等离子体光刻成像转换为第六矩阵；

根据所述第五矩阵和所述第六矩阵测试所述快速成像模型。

10.一种等离子体光刻成像装置，其特征在于，包括：

第一获取单元，用于获取等离子体光刻成像的目标成像结构，所述目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形；

模拟单元，用于将所述目标掩模图形输入快速成像模型，得到所述目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，所述快速成像模型是利用所述目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的。