[发明专利]一种等离子体光刻成像方法及装置

说明书

本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种等离子体光刻成像方法及装置。

背景技术

随着半导体相关技术的发展，对半导体器件进行制造时的重要技术之一光刻技术也在飞速发展。等离子体光刻技术作为一种主流光刻技术的补充，与传统的光学光刻技术，如深紫外光光刻(Deep Ultraviolet Lithography，DUVL)和极紫外光光刻(ExtremeUltraviolet Lithography，EUVL)有很大的不同。

等离子体光刻技术由于利用了包含高频信息的倏逝近场成像，从而可以突破传统光刻中的衍射极限。实验证明，即使使用波长为365纳米(nm)的光源，在单次曝光的条件下，分辨率便可达到约20nm，约为光波长(light wavelength)的1/17，并且有可能进一步提高。这种方法为研究低成本、大面积、高效的光刻技术,提供了一条可靠技术途径，因此受到了广泛关注。

综上，当前存在对于等离子体光刻技术的快速成像的研究需求。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种等离子体光刻成像方法及装置，能够实现等离子体光刻技术的快速成像，满足后续对于等离子体光刻技术的研究需求。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种等离子体光刻成像方法，包括：

获取等离子体光刻成像的目标成像结构，所述目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形；

将所述目标掩模图形输入快速成像模型，得到所述目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，所述快速成像模型是利用所述目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的。

可选地，所述多个训练掩模图形包括第一训练掩模图形，所述训练等离子体光刻成像包括第一训练等离子体光刻成像，所述方法还包括：

获取多个所述第一训练掩模图形，所述多个第一训练掩模图形的周期长度按照第一固定步长依次增加；

将所述多个第一训练掩模图形转换为第一矩阵；

获取多个第一训练掩模图形每个第一训练掩模图形对应的第一训练等离子体光刻成像；

将所述多个第一训练等离子体光刻成像转换为第二矩阵；

根据所述第一矩阵和所述第二矩阵训练所述快速成像模型。

可选地，所述第一训练掩模图形包括透光的第一部分和不透光的第二部分；

所述将所述多个第一训练掩模图形转换为第一矩阵包括：

将所述第一部分转换为第一矩阵的第一参数，将所述第二部分转换为第一矩阵的第二参数。

可选地，所述方法还包括：

根据所述目标成像结构构建仿真模型；

根据所述仿真模型模拟得到所述第一训练等离子体光刻成像在单个周期内的多个光强数值。