[发明专利]声表面波器件、滤波器及电子设备在审
| 申请号： | 202211405830.3 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115642895A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 杜波;王华磊;倪建兴 | 申请（专利权）人： | 锐石创芯（重庆）科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/145;H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人： | 朱业刚 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 滤波器 电子设备 | ||
1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：
压电基底；
叉指换能器，设置在所述压电基底上，在所述叉指换能器的两个汇流条的排布方向上，两个所述汇流条之间具有交叉区和位于所述交叉区两端的间隙区，且所述交叉区包括中间区和位于所述中间区两端的边缘区；其中，在所述叉指换能器的各电极指的排布方向上，所述交叉区为各电极指相互交叠的区域；
温度补偿层，设置在所述压电基底上，并覆盖所述叉指换能器；
第一介电层，设置在所述间隙区；
第二介电层，设置在所述中间区；
第三介电层，设置在所述边缘区；
所述间隙区的声速大于所述中间区的声速，所述中间区的声速大于所述边缘区的声速。
2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一介电层填充位于所述间隙区的相邻两个电极指之间的空隙；和/或，
所述第二介电层填充位于所述中间区的相邻两个电极指之间的空隙；和/或，
所述第三介电层填充位于所述边缘区的相邻两个电极指之间的空隙。
3.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一介电层覆盖位于所述间隙区的电极指的至少一部分；和/或，
所述第二介电层覆盖位于所述中间区的电极指的至少一部分；和/或，
所述第三介电层覆盖位于所述边缘区的电极指的至少一部分。
4.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，在所述间隙区，所述第一介电层的厚度小于或等于电极指的厚度；和/或，
在所述中间区，所述第二介电层的厚度小于或等于电极指的厚度；和/或，
在所述边缘区，所述第三介电层的厚度小于或等于电极指的厚度。
5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一介电层的材质包括Si3N4、Al2O3以及SiC中的至少一种；和/或，
所述第二介电层的材质包括Si3N4、Al2O3以及SiC中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第三介电层包括SiO2和Ta2O5中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层的厚度相同；和/或，所述第一介电层与所述第二介电层的材质相同。
8.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一介电层位于所述压电基底和所述温度补偿层之间，或者所述第一介电层位于所述温度补偿层背离所述压电基底的表面；
所述第二介电层位于所述压电基底和所述温度补偿层之间，或者所述第二介电层位于所述温度补偿层背离所述压电基底的表面；
所述第三介电层位于所述压电基底和所述温度补偿层之间，或者所述第三介电层位于所述温度补偿层背离所述压电基底的表面。
9.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，位于所述边缘区的电极指的厚度大于位于所述中间区的电极指的厚度；和/或，
位于所述边缘区的电极指占空比大于位于所述中间区的电极指的占空比。
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