[发明专利]声表面波器件、滤波器及电子设备

说明书

本发明涉及一种声表面波器件、滤波器及电子设备，包括压电基底；叉指换能器，设置在压电基底上，在叉指换能器的两个汇流条的排布方向上，两个汇流条之间具有交叉区和位于交叉区两端的间隙区，且交叉区包括中间区和位于所述中间区两端的边缘区；其中，在叉指换能器的各电极指的排布方向上，交叉区为各电极指相互交叠的区域；温度补偿层，设置在压电基底上，并覆盖叉指换能器；第一介电层，设置在间隙区；第二介电层，设置在中间区；第三介电层，设置在边缘区；通过这三个介电层的设置使间隙区的声速大于中间区的声速，中间区的声速大于边缘区的声速，从而消除横向模式对声表面波器件性能的不良影响。

技术领域

本发明属于射频滤波技术领域，涉及一种声表面波器件、滤波器及电子设备。

背景技术

声表面波器件通常包括压电基底以及叉指换能器，其中，叉指换能器设置在压电基底的上表面。另外，叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、第一电极指以及第二电极指，第一汇流条和第二汇流条平行且间隔设置，第一电极指和第二电极指依次间隔排布在第一汇流条和第二汇流条之间，且第一电极指的一端与第一汇流条连接，第一电极指的另一端与第二汇流条间隔设置，第二电极指的一端与第二汇流条连接，第二电极指的另一端与第一汇流条间隔设置。

为了实现低频率温度系数，声表面波器件通常还设有温度补偿层，其中温度补偿层设置压电基底的上表面，并覆盖叉指换能器。

但是，温度补偿层的设置会使叉指孔径方向形成横向模式的波导，而横向模式的存在，则会导致声表面波器件的性能恶化。

发明内容

本发明提供一种声表面波器件、滤波器及电子设备，旨在解决因温度补偿层的设置，而导致声表面波器件的性能恶化的问题。

本发明实施例提供一种声表面波器件，包括：压电基底；叉指换能器，设置在所述压电基底上，在所述叉指换能器的两个汇流条的排布方向上，两个所述汇流条之间具有交叉区和位于所述交叉区两端的间隙区，且所述交叉区包括中间区和位于所述中间区两端的边缘区；其中，在所述叉指换能器的各电极指的排布方向上，所述交叉区为所述电极指相互交叠的区域；温度补偿层，设置在所述压电基底上，并覆盖所述叉指换能器；第一介电层，设置在所述间隙区；第二介电层，设置在所述中间区；第三介电层，设置在所述边缘区；所述间隙区的声速大于所述中间区的声速，所述中间区的声速大于所述边缘区的声速。

可选的，所述第一介电层填充位于所述间隙区的相邻两个电极指之间的空隙；和/或，所述第二介电层填充位于所述中间区的相邻两个电极指之间的空隙；和/或，所述第三介电层填充位于所述边缘区的相邻两个电极指之间的空隙。

可选的，所述第一介电层覆盖位于所述间隙区的电极指的至少一部分；和/或，所述第二介电层覆盖位于所述中间区的电极指的至少一部分；和/或，所述第三介电层覆盖位于所述边缘区的电极指的至少一部分。

可选的，在所述间隙区，所述第一介电层的厚度小于或等于电极指的厚度；和/或，在所述中间区，所述第二介电层的厚度小于或等于电极指的厚度；和/或，在所述边缘区，所述第三介电层的厚度小于或等于电极指的厚度。

可选的，所述第一介电层的材质包括Si₃N₄、Al₂O₃以及SiC中的至少一种；和/或，所述第二介电层的材质包括Si₃N₄、Al₂O₃以及SiC中的至少一种。

可选的，所述第三介电层包括SiO₂和Ta₂O₅中的至少一种。

可选的，所述第一介电层与所述第二介电层的厚度相同；和/或，所述第一介电层与所述第二介电层的材质相同。