[发明专利]一种新型链式铁电存储单元结构在审

专利信息
申请号: 202211405863.8 申请日: 2022-11-10
公开(公告)号: CN115691599A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 李建军;刘星言;杜涛;李威 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22;G11C5/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 链式 存储 单元 结构
【权利要求书】:

1.一种新型链式铁电存储单元结构,其特征在于所述新型链式铁电存储单元由多个基本存储单元串联组成;所述基本单元由一个NMOS晶体管NM1、一个PMOS晶体管PM1和一个铁电电容CF1组成,晶体管NM1与铁电电容并联,晶体管PM1的源端S与NM1的源端S相连,晶体管PM1的漏端与选通管相连,选通管选通后在字线BL上输出或写入数据;NMOS晶体管NM1的栅端与PMOS晶体管PM1的栅端共同充当字线WL。

2.一种新型链式铁电存储单元结构,其特征在于新型链式铁电存储单元分为左右两半部分,两边形成对称结构;每个基本存储单元串联,板线PL在N/2的位置,在左右两侧各有一个选通管,通过地址译码决定BSL和BSR信号电平高低从而控制选择管开关,链的一端通过选择管BS接到位线BL上。

3.一种新型链式铁电存储单元结构,其特征在于在静态时,所有NMOS管导通,PMOS管关断,导通的NMOS管将铁电电容短接,从而避免的外界的干扰,保护了电容中存储的数据;在工作时,选中的NMOS管关断,PMOS管导通,其余的MOS管保持原状态,在此条件下对所选中的单元进行读出和写入操作,由于未被选中的单元仍处于短接状态,内部的数据不会遭到破坏;选中单元中的数据经过PMOS管传输到位线上,避免了串联的NMOS管寄生电容的影响,使选中铁电电容的极化速度更快,极化强度更大。

4.一种新型链式铁电存储单元结构,其特征在于为减小板线PL脉冲到达最远基本单元的距离采用了对称结构,将板线PL置于N/2单元处,新型链式铁电存储单元形成对称结构。

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