[发明专利]用于先进集成电路结构的跳线栅极在审
| 申请号： | 202211407336.0 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN116264249A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | S·叶门尼西奥卢;L·P·古勒;G·杜威;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H10B10/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈开泰;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 先进 集成电路 结构 跳线 栅极 | ||
1.一种集成电路结构，包括：
水平纳米线段的第一竖直堆栈；
水平纳米线段的第二竖直堆栈，与所述水平纳米线段的第一竖直堆栈隔开；
导电结构，沿横向位于所述水平纳米线段的第一竖直堆栈和所述水平纳米线段的第二竖直堆栈之间并与所述第一竖直堆栈和所述第二竖直堆栈直接电接触；
第一源极或漏极结构，在与所述导电结构相对的一侧上耦合到所述水平纳米线段的第一竖直堆栈；以及
第二源极或漏极结构，在与所述导电结构相对的一侧上耦合到所述水平纳米线段的第二竖直堆栈。
2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电结构竖直地位于子鳍结构上方。
3.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电结构具有位于所述第一和第二源极或漏极结构的最上表面上方的最上表面。
4.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一和第二源极或漏极结构具有与所述水平纳米线段的第一和第二竖直堆栈的半导体材料组成不同的半导体材料组成。
5.如权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第一和第二源极或漏极结构包括硅和锗，而所述水平纳米线段的第一和第二竖直堆栈包括硅。
6.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：
形成水平纳米线的竖直堆栈；
对所述水平纳米线的竖直堆栈进行切割，以形成水平纳米线段的第一竖直堆栈以及与所述水平纳米线段的第一竖直堆栈隔开的水平纳米线段的第二竖直堆栈；
沿横向在所述水平纳米线段的第一竖直堆栈和所述水平纳米线段的第二竖直堆栈之间并与所述第一竖直堆栈和所述第二竖直堆栈直接电接触地形成导电结构；
形成在与所述导电结构相对的一侧上耦合到所述水平纳米线段的第一竖直堆栈的第一源极或漏极结构；以及
形成在与所述导电结构相对的一侧上耦合到所述水平纳米线段的第二竖直堆栈的第二源极或漏极结构。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述导电结构竖直地位于子鳍结构上方。
8.如权利要求6或7所述的方法，其中，所述导电结构具有位于所述第一和第二源极或漏极结构的最上表面上方的最上表面。
9.如权利要求6或7所述的方法，其中，所述第一和第二源极或漏极结构具有与所述水平纳米线段的第一和第二竖直堆栈的半导体材料组成不同的半导体材料组成。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一和第二源极或漏极结构包括硅和锗，而所述水平纳米线段的第一和第二竖直堆栈包括硅。
11.一种计算装置，包括：
板；以及
耦合到所述板的组件，所述组件包括集成电路结构，所述集成电路结构包括：
水平纳米线段的第一竖直堆栈；
水平纳米线段的第二竖直堆栈，与所述水平纳米线段的第一竖直堆栈隔开；
导电结构，沿横向位于所述水平纳米线段的第一竖直堆栈和所述水平纳米线段的第二竖直堆栈之间并与所述第一竖直堆栈和所述第二竖直堆栈直接电接触；
第一源极或漏极结构，在与所述导电结构相对的一侧上耦合到所述水平纳米线段的第一竖直堆栈；以及
第二源极或漏极结构，在与所述导电结构相对的一侧上耦合到所述水平纳米线段的第二竖直堆栈。
12.如权利要求11所述的计算装置，进一步包括：
耦合到所述板的存储器。
13.如权利要求11或12所述的计算装置，进一步包括：
耦合到所述板的通信芯片。
14.如权利要求11或12所述的计算装置，其中，所述组件是封装的集成电路管芯。
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