[发明专利]一种基于ALD工艺的氧化铝与氮化硅二合一机台镀膜设备在审

专利信息
申请号: 202211409005.0 申请日: 2022-11-11
公开(公告)号: CN115786870A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 韦新松;洪布双;高昂;张勇 申请(专利权)人: 江苏中清先进电池制造有限公司
主分类号: C23C16/02 分类号: C23C16/02;C23C16/455
代理公司: 安徽思尔六知识产权代理事务所(普通合伙) 34244 代理人: 童慧慧
地址: 221400 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 ald 工艺 氧化铝 氮化 二合一 机台 镀膜 设备
【说明书】:

发明及镀膜设备技术领域,公开了一种基于ALD工艺的氧化铝与氮化硅二合一机台镀膜设备,包括滑轨,滑轨上开设有两条滑槽,滑轨的上方依次设置有清理机构、制绒机构、酸洗机构、调节机构以及镀膜机,滑轨上还设置有两组夹持机构,两夹持机构与上各机构相互配合,制绒机构用于物料表面制绒,酸洗机构用于制绒后物料表面的杂质的清理,调节机构用于调节物料的形态;本发明通过设置两组夹持组件与上方的各个机构相互配合,可自动完成对物料表面清理、制绒、酸洗、以及镀膜等工艺,且通过设置调节机构与夹持组件的配合,对物料表面进行深度清理,进一步提升了表面的酸洗效果,同时提升表面的镀膜效果。

技术领域

本发明涉及镀膜设备技术领域,更具体地说,它涉及一种基于ALD工艺的氧化铝与氮化硅二合一机台镀膜设备。

背景技术

ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子,在进行镀膜前,需要对硅片的表面进行清理酸洗等操作,以保证镀膜的效果更好。

现有技术对硅片表面进行酸洗时,由于制绒后表面凹凸不平,导致酸洗效果较差,酸洗液在制绒的凹面形成薄膜,酸洗液无法对表面进行深度清理,导致镀膜效果不佳。因此,我们发明了一种基于ALD工艺的氧化铝与氮化硅二合一机台镀膜设备,以解决此类问题。

发明内容

本发明提供一种基于ALD工艺的氧化铝与氮化硅二合一机台镀膜设备,解决相关技术制绒后表面凹凸不平,导致酸洗效果较差,酸洗液在制绒的凹面形成薄膜,酸洗液无法对表面进行深度清理,导致镀膜效果不佳的技术问题。

根据本发明的一个方面,提供了一种基于ALD工艺的氧化铝与氮化硅二合一机台镀膜设备,包括滑轨,滑轨上开设有两条滑槽,滑轨的上方依次设置有清理机构、制绒机构、酸洗机构、调节机构以及镀膜机,滑轨上还设置有两组夹持机构,两夹持机构与上各机构相互配合,清理机构对物料的表面进行清理,制绒机构用于物料表面制绒,酸洗机构用于制绒后物料表面的杂质的清理,调节机构用于调节物料的形态,镀膜机用于对处理后的物料表面进行镀膜。

进一步地:清理机构包含清理盒与清理刷辊,清理盒清理刷辊水平安装在滑轨的上方,清理盒为预备清理刷辊的右侧,清理刷辊顺时针转动。

进一步地:制绒机构包含制绒电刷,制绒电刷平行与滑轨设置,制绒电刷的刷毛为导电材质。

进一步地:酸洗机构包含涂料头,涂料头呈水平布置,的上端安装有伸缩杆,伸缩杆通过安装板固定安装。

进一步地:调节机构包含两组弯曲组件,两组弯曲组件分别设置在滑轨的两侧,弯曲组件含一号引导杆和二号引导杆,一侧的弯曲组件通过避让组件与滑轨连接。

进一步地:一号引导杆与二号引导杆皆设置有两段,分别为直线段和弧形段,一号引导杆的弧形段向上弯曲,二号引导杆的弧形段向下弯曲,另一侧弯曲组件的弧形段的弯曲方向相反。

进一步地:避让组件包含电动伸缩杆,电动伸缩杆通过安装条固定安装,电动伸缩杆呈平躺状,电动伸缩杆的输出端安装有连接板,连接板的两端固定安装由于安装块,连接板和安装块与安装条之间为滑动连接,安装块的上端分别弯曲组件的两引导杆固定安装。

进一步地:夹持机构包含两组夹持组件,夹持组件包含两安装环,两安装环的下端通过连接组件与滑轨连接,一侧的安装环上端安装有配合组件,两组夹持组件的配合组件呈对角线设置,安装环内部转动连接有电动转盘,电动转盘上开设有两条滑道,两条滑道的内部滑动连接有两滑块,滑块与电动转盘之间设置有调节弹簧,两电动转盘之间设置有两辊轴,两辊轴呈上下排布,两辊轴的两端固定安装在对应的滑块侧壁,辊轴的外表面活动套接有夹持辊。

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