[发明专利]集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片

权利要求书

1.一种集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，包括：

N型碳化硅衬底；

依次层叠设于所述N型碳化硅衬底的正面的漂移层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，所述漂移层包括并排设置的第一漂移区和第二漂移区，且所述第一漂移区内设有多个与所述漂移层掺杂类型不同的浮岛结构；

第一浅沟渠隔离层，设于所述势垒层和所述沟道层中，且深入至所述缓冲层，以将所述势垒层和所述沟道层划分为高压器件区和低压器件区；

高压漏极，设于所述N型碳化硅衬底的背面；

中介金属层，设于所述第二漂移区上，且与所述高压器件区的所述缓冲层、所述沟道层和所述势垒层的第一侧接触；

高压源极，设于所述高压器件区内的所述势垒层的第二侧，且深入至所述沟道层内；

高压栅极，设于所述中介金属层和所述高压源极之间的所述势垒层上；

低压源极、低压漏极和低压栅极，均设于所述低压器件区内，以组成对应的低压HEMT器件。

2.如权利要求1所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，所述漂移层为N型碳化硅，所述浮岛结构为P型碳化硅；所述势垒层为氮化铝镓，所述沟道层为氮化镓。

3.如权利要求1所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，多个所述浮岛结构均与所述N型碳化硅衬底平行设置，相邻的所述浮岛结构之间的距离相等。

4.如权利要求1所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，多个所述浮岛结构的宽度均不小于所述低压器件区的宽度。

5.如权利要求1所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，多个所述浮岛结构的离子掺杂浓度与所述N型碳化硅衬底的距离呈正比例关系。

6.如权利要求1所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，还包括第二浅沟渠隔离层，所述第二浅沟渠隔离层设于所述低压器件区的所述势垒层和所述沟道层中，且深入至所述缓冲层，以将所述低压器件区划分为多个低压器件子区，多个所述低压器件子区均位于所述第一漂移区上方；每个所述低压器件内均设有所述低压源极、所述低压漏极和所述低压栅极。

7.如权利要求1或6所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，所述低压源极和所述低压漏极均设于所述沟道层上且与所述势垒层接触，所述低压栅极设于所述低压源极和所述低压漏极之间的所述势垒层上。

8.如权利要求1所述的集成低压器件的耐高压开关器件，其特征在于，还包括第一P型盖帽层；

所述第一P型盖帽层设于所述势垒层与所述高压栅极之间。