[发明专利]一种异质结双极晶体管缺陷检测方法

权利要求书

1.一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取异质结双极晶体管在预设电压时的C-V曲线和1/C²-V曲线；

确定所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；

根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C-V测试模块或I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。

2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C-V测试模块或I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测包括：

当所述C-V曲线在所述第一预设电压范围内满足预设平滑情况，且所述1/C²-V曲线在所述第一预设电压范围满足预设平直情况时，控制所述C-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测；

否则，控制所述I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。

3.根据权利要求2所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述确定所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线在第一预设电压范围内的变化情况包括：

当所述C-V曲线在所述第一预设电压范围内的曲率小于第一预设值时，判定所述C-V曲线在所述第一预设电压范围内满足所述预设平滑情况；

当所述1/C²-V曲线在所述第一预设电压范围内的曲率大于第二预设值时，判定所述1/C²-V曲线在所述第一预设电压范围满足所述预设平直情况时。

4.根据权利要求3所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述控制深能级瞬态谱的I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测包括：

获取所述异质结双极晶体管在所述预设电压时的电流参数；

根据所述预设电压和所述电流参数生成I-V曲线；

当所述I-V曲线满足预设变化情况时，控制深能级瞬态谱的I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。

5.根据权利要求4所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，

当所述I-V曲线在第二预设电压范围中电流值符合预设增加趋势时，判定所述I-V曲线满足预设变化情况。

6.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述获取异质结双极晶体管在预设电压时的C-V曲线和1/C²-V曲线包括：

获取所述异质结双极晶体管的BE结或BC结在所述预设电压时的所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线，其中，所述预设电压小于所述异质结双极晶体管的量程。

7.根据权利要求1-6任一项所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法，其特征在于，所述获取异质结双极晶体管在预设电压时的C-V曲线和1/C²-V曲线包括：

向所述异质结双极晶体管施加所述预设电压，以得到所述异质结双极晶体管的电容参数；

根据所述电容参数和所述预设电压生成所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线。

8.一种异质结双极晶体管缺陷检测装置，其特征在于，包括：

获取单元，用于获取异质结双极晶体管在预设电压时的C-V曲线和1/C²-V曲线；

判断单元，用于确定所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；

控制单元，用于根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C-V测试模块或I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。

9.一种异质结双极晶体管缺陷检测装置，其特征在于，包括存储器和处理器：

所述存储器，用于存储计算机程序；

所述处理器，用于当执行所述计算机程序时，实现如权利要求1-7中任一项所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器读取并运行时，实现如权利要求1-7中任一项所述的异质结双极晶体管缺陷检测方法。