[发明专利]一种异质结双极晶体管缺陷检测方法

说明书

本发明提出了一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，包括：获取异质结双极晶体管在预设电压时的C‑V曲线和1/C²‑V曲线；确定所述C‑V曲线和所述1/C²‑V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C‑V测试模块或I‑V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。本发明的有益效果：通过控制深能级瞬态谱的不同的测试模块对异质结双极晶体管的缺陷种类和缺陷状态进行检测，能够深入分析异质结双极晶体管内部缺陷性质和辐射损伤机制。

技术领域

本发明涉及电子器件检测技术领域，具体而言，涉及一种异质结双极晶体管缺陷检测方法。

背景技术

与传统硅基双极型晶体管相比，磷化铟异质结双极晶体管(InP HBTs)具备诸多独特优势，包括基区具有更高的电子迁移率、集电区具有更高的电子漂移速率、衬底具有更高热导率以及更低的表面复合速率、功率密度高、较好的线性度和可重复性等特征，决定了其在高频高速器件领域的应用优势，在射频和微波等领域展现出较强的竞争力，有望在卫星、雷达等领域中实现大规模应用。InP HBTs在严重的空间环境下会承受各种宇宙射线和高能粒子的辐射影响，不同类型的辐射粒子损伤特征和机制不同，会在器件内部引入或激活缺陷，导致性能退化、失效率增加。这些缺陷状态与入射粒子能量、类型、辐照注量等属性有关外，还与材料属性密切相关。

目前，大多数InP HBTs辐照相关分析只停留在性能分析层面上，少有深入分析器件辐照之后产生的缺陷种类、状态等，导致对InP HBTs中缺陷性质和缺陷行为的认识不够，辐射损伤机制不清。

发明内容

本发明要解决的问题是如何更准确地检测异质结双极晶体管内部辐照后生成的缺陷。

为解决上述问题，本发明提供一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，包括以下步骤：

获取异质结双极晶体管在预设电压时的C-V曲线和1/C²-V曲线；

确定所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；

根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C-V测试模块或I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。

本技术方案中，通过获取异质结双极晶体管在预设电压时的C-V曲线和1/C²-V曲线，并选取其在一预设电压范围内的变化情况确定如何对异质结双极晶体管进行缺陷检测，具体地，根据不同情况选择C-V测试模块或I-V测试模块进行异质结双极晶体管的缺陷检测，以准确检测到不同辐射粒子在双极晶体内部产生的缺陷种类和状态，进而便于深入分析研究异质结双极晶体管的辐射损伤及可靠性。

进一步地，所述根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C-V测试模块或I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测包括：

当所述C-V曲线在所述第一预设电压范围内满足预设平滑情况，且所述1/C²-V曲线在所述第一预设电压范围满足预设平直情况时，控制所述C-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测；

否则，控制所述I-V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。

进一步地，所述确定所述C-V曲线和所述1/C²-V曲线在第一预设电压范围内的变化情况包括：

当所述C-V曲线在所述第一预设电压范围内的曲率小于第一预设值时，判定所述C-V曲线在所述第一预设电压范围内满足所述预设平滑情况；

当所述1/C²-V曲线在所述第一预设电压范围内的曲率大于第二预设值时，判定所述1/C²-V曲线在所述第一预设电压范围满足所述预设平直情况时。