[发明专利]具有栅极切割偏移的集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一水平纳米线垂直堆；

第二水平纳米线垂直堆，与所述第一水平纳米线垂直堆分隔开并且平行于所述第一水平纳米线垂直堆；和

栅极结构，包括：

第一栅极结构部分，在所述第一水平纳米线垂直堆之上；

第二栅极结构，在所述第二水平纳米线垂直堆之上；和

栅极切割，在所述第一栅极结构部分和所述第二栅极结构部分之间，与所述第一水平纳米线垂直堆相比，所述栅极切割沿侧向更靠近所述第二水平纳米线垂直堆。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括在所述栅极切割中的介电栅极插塞。

3.如权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括在所述第一栅极结构上的导电过孔。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，还包括在所述导电过孔之上并且耦合到所述导电过孔的导电线。

5.如权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，其中与所述第一水平纳米线垂直堆相比，所述栅极切割处于沿侧向更靠近所述第二水平纳米线垂直堆的10%-30%的范围中。

6.一种加工集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成第一水平纳米线垂直堆；

形成第二水平纳米线垂直堆，所述第二水平纳米线垂直堆与所述第一水平纳米线垂直堆分隔开并且平行于所述第一水平纳米线垂直堆；和

形成栅极结构，所述栅极结构包括：

第一栅极结构部分，在所述第一水平纳米线垂直堆之上；

第二栅极结构，在所述第二水平纳米线垂直堆之上；和

栅极切割，在所述第一栅极结构部分和所述第二栅极结构部分之间，与所述第一水平纳米线垂直堆相比，所述栅极切割沿侧向更靠近所述第二水平纳米线垂直堆。

7.如权利要求6所述的方法，还包括在所述栅极切割中形成介电栅极插塞。

8.如权利要求6或7所述的方法，还包括在所述第一栅极结构上形成导电过孔。

9.如权利要求8所述的方法，还包括形成在所述导电过孔之上并且耦合到所述导电过孔的导电线。

10.如权利要求6、7、8或9所述的方法，其中与所述第一水平纳米线垂直堆相比，所述栅极切割处于沿侧向更靠近所述第二水平纳米线垂直堆的10%-30%的范围中。