[发明专利]一种半导体集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和轻掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、氮化硅、第二氧化硅；

以硬掩模介质层为阻挡层，采用光刻、刻蚀的工艺方法，在半导体基片上形成第一沟槽和第二沟槽；

淀积第三氧化硅；

采用化学机械研磨的工艺方法，去除高出所述氮化硅的上表面的第二氧化硅和第三氧化硅，随后去除所述氮化硅；

采用光刻、腐蚀的工艺方法，以光刻胶作为阻挡层，去除第一沟槽之外区域的第三氧化硅和第一氧化硅，保留第一沟槽底部及侧壁的第三氧化硅，随后去除所述光刻胶；

采用热氧化工艺，生长第四氧化硅；随后采用腐蚀的方法，去除第四氧化硅；

采用热氧化工艺，生长第五氧化硅(即栅氧化层)，淀积多晶硅，对多晶硅第一次离子注入掺杂，形成第一掺杂多晶硅；

采用光刻、离子注入的工艺方法，以光刻胶作为阻挡层，对部分区域的多晶硅第二次离子注入掺杂，形成第二掺杂多晶硅；

去除光刻胶，高温退火，使得第一离子注入掺杂和第二注入掺杂的掺杂物向多晶硅底部扩散，将所述多晶硅扩透；

采用化学机械研磨的工艺方法，去除高出所述第五氧化硅的上表面的第一掺杂多晶硅和第二掺杂多晶硅，保留第一沟槽中的多晶硅(第一掺杂多晶硅)、保留第二沟槽中的多晶硅(第二掺杂多晶硅)；

离子注入随后退火形成体区；

采用光刻、离子注入、退火的工艺方法，形成源区，以及同步在第一掺杂多晶硅的设定区域形成第三掺杂多晶硅。

2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，在高温退火之前，第一掺杂多晶硅和第二掺杂多晶硅只是分布在多晶表层，经高温退火之后，掺杂物分布在从多晶硅表面至底部的整个纵深区域；第一掺杂多晶硅为后续的多晶硅二极管区域即静电保护电路区域，第二掺杂多晶硅为MOSFET的多晶硅栅。

3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅和所述氮化硅的厚度分别为200～800埃米，所述第二氧化硅的厚度为1000～4000埃米。

4.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽的深度为0.8～1.6微米，所述第一沟槽的宽度为100～400微米，所述第二沟槽的宽度为0.1～0.5微米。

5.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，所述第三氧化硅的厚度为2000～5000埃米，在此步淀积工艺中，所述第二沟槽因为宽度比较小，被第三氧化硅填满，所述第一沟槽因为宽度比较大，第三氧化硅在第二沟槽底部和侧壁均匀覆盖。

6.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，所述化学机械研磨是从上至下研磨的，最终停留在所述氮化硅的上表面，因为化学机械研磨是有选择性的，第一沟槽的底部及侧壁的第三氧化硅都得以保留下来，且第一沟槽的侧壁位置的第三氧化硅的上表面的高度比硅表面更高，高出的厚度等于第一氧化硅和氮化硅的厚度之和。

7.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，所述第四氧化硅的厚度为200～1300埃米，第四氧化硅的厚度小于第一氧化硅和氮化硅的厚度之和。