[发明专利]一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺在审

专利信息
申请号: 202211430315.0 申请日: 2022-11-16
公开(公告)号: CN115808428A 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 祝军;祝建敏 申请(专利权)人: 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01B11/30;B24B29/02
代理公司: 杭州信与义专利代理有限公司 33450 代理人: 蒋亚兵
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 伤痕 检测 设备 返修 工艺
【说明书】:

发明涉及硅部件加工领域,特别地,涉及一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺,包括用于承载硅环的支撑座以及用于设置所述支撑座的底座,所述支撑座与所述底座转动连接,所述支撑座的上侧设有第一检测组件,所述第一检测组件与所述底座之间设有用于调节二者的水平间距的伸缩组件,所述第一检测组件包括上支座,所述上支座上设有驱动电机,所述驱动电机的驱动轴上设有横梁,所述横梁的转动平面与所述支撑座的承载平面平行,所述横梁上设有上激光头与上接收器;本发明目的是克服现有技术的不足而提供一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺,可自动对硅产品表面的伤痕程度进行检测以筛选符合返修条件的硅产品。

技术领域

本发明涉及硅部件加工领域,特别地,涉及一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺。

背景技术

随着半导体行业的高速发展,提高产品生产效率、成品合格率就成为行业发展中突出瓶颈中的重中之重。硅产品更高的生产要求,逐渐降低了产品生产过程一次性合格率,产品返修工艺的研发也将迫在眉睫;产品生产、搬运过程中,不可避免产生划伤、凹坑,合理化修复至产品合格,需要工艺技术支持;传统硅环在发生划伤、凹坑时,通常需要人工目检划伤与凹坑的损伤程度,对于损伤程度较小的硅环进行打磨与抛光处理,重新包装,对于损伤程度较大的硅环则直接报废;由于划痕与凹坑,通常较小,在对硅环进行人工目检时需要人的精力高度集中,并且随着工作时间增加,对于损伤程度是否符合条件容易发生误判,造成硅环的浪费或者对打磨设备不必要的损耗。因此如何设计一种硅环伤痕检测设备并配合硅环返修工艺,可自动对硅产品表面的伤痕程度进行检测以筛选符合返修条件的硅产品成为了亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此,本发明目的是克服现有技术的不足而提供一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺,可自动对硅产品表面的伤痕程度进行检测以筛选符合返修条件的硅产品。

为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:

一种硅环伤痕检测设备,包括用于承载硅环的支撑座以及用于设置所述支撑座的底座,所述支撑座与所述底座转动连接,所述支撑座的上侧设有第一检测组件,所述第一检测组件与所述底座之间设有用于调节二者的水平间距的伸缩组件,所述第一检测组件包括上支座,所述上支座上设有驱动电机,所述驱动电机的驱动轴上设有横梁,所述横梁的转动平面与所述支撑座的承载平面平行,所述横梁上设有上激光头与上接收器,所述上激光头43的转动中心与所述述驱动电机41的驱动轴同心,所述上激光头与所述支撑座间隔设置,所述上激光头的发射路径与所述支撑座的承载平面垂直。

较之现有技术,本发明的优点在于:

本发明在使用时,将硅环放置于支撑座上,上激光头发出光线照射硅环,驱动电机驱动横梁带动上激光头与上接收器转动,当上激光头发出的光线照射至硅环的平面上的凹坑上时,当此凹坑较浅时,凹坑的斜率较小,由上激光头发出的光线经凹坑的平面反射,光线反射点照射于上接收器的转动平面内,由于上接收器的转动,在上接收器的转动过程中,光线在某一瞬间照射于上接收器上,上接收器接收到信号,表明此凹坑较浅,为可修复的凹坑;

当此凹坑较深时,凹坑的斜率较大,由上激光头发出的光线经凹坑的平面反射,线反射点照射于上接收器的转动平面外,在上接收器的转动过程中,光线在无法照射于上接收器上,上接收器无法接收到信号,表明此凹坑较深,为不可修复的凹坑。

通过伸缩组件控制第一检测组件与底座之间的距离,转动支撑座控制硅环相对于第一检测组件的角度,通过底座与第一检测组件的相对运动实现对硅环的全平面进行伤痕检测。

通过上激光头与上接收器的设置,利用光的反射与接收,并根据凹坑深浅的不同所导致的凹坑的斜率不同的原理,调节上接收器的位置从而有效的实现了对硅产品表面的凹坑伤痕的检测与区分。

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