[发明专利]一种降低硅片损伤的硅舟有效

专利信息
申请号: 202211432870.7 申请日: 2022-11-16
公开(公告)号: CN115662928B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 范明明;祝建敏;李长苏 申请(专利权)人: 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673
代理公司: 杭州信与义专利代理有限公司 33450 代理人: 蒋亚兵
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 硅片 损伤
【权利要求书】:

1.一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于,包括平行且对向设置的法兰(1)和天板(5),所述法兰(1)和天板(5)之间设有沟棒(2),所述沟棒(2)的内侧设有用于承托硅片(3)的沟齿(4);

所述沟棒(2)至少设有三根,包括两根前沟棒(21)和一根后沟棒(22),所述前沟棒(21)的截面形状为7字形,所述前沟棒(21)上的沟齿(4)作为7字形的上半部分,所述前沟棒(21)本体作为7字形的下半部分;

三根所述沟棒(2)上的相应沟齿(4)在同一平面形成硅片容置槽,两根前沟棒(21)本体之间的最短连线长度大于硅片的直径,两根前沟棒(21)的沟齿(4)之间的最短连线长度小于硅片(3)的直径;

还包括支撑棒(41),所述支撑棒(41)活动设置于所述前沟棒(21)上,所述支撑棒(41)上固设有用于支撑所述沟齿(4)的支撑齿(42),所述支撑齿(42)插置于相邻的两个所述沟齿(4)之间。

2.根据权利要求1所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于:所述支撑棒(41)与所述前沟棒(21)转动连接。

3.根据权利要求1所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于:所述沟齿(4)的上端面为斜面,所述沟齿(4)的上端面由外而内的向下倾斜,倾斜角度为α。

4.根据权利要求3所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于:所述倾斜角度α为1-4°。

5.根据权利要求1所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于:所述法兰(1)与所述天板(5)均位圆环板状结构,所述法兰(1)上设有下卡槽(11),所述天板(5)上设有上卡槽(51),所述沟棒(2)的下端部嵌设于下卡槽(11)的内部,所述沟棒(2)的上端部嵌设于上卡槽(51)的内部。

6.根据权利要求1至5之一所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于:所述天板(5)上设有贯穿所述天板(5)的内环面与外环面的应力槽(52)。

7.根据权利要求1所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于,所述沟棒(2)设有五根,所述后沟棒(22)设有三根,三根所述后沟棒(22)位于两根所述前沟棒(21)的同侧且沿所述法兰(1)的周向间隔设置。

8.根据权利要求7所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于,两根所述前沟棒(21)的沟齿(4)之间的夹角为120°,三根所述后沟棒(22)中任意相邻两所述后沟棒(22)之间的夹角为45°,位于两侧的两个所述后沟棒(22)任一与所述前沟棒(21)的沟齿(4)的夹角为75°。

9.根据权利要求1所述的一种降低硅片损伤的硅舟,其特征在于:所述硅舟的制备材料为多晶硅。

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