[发明专利]一种降低硅片损伤的硅舟

说明书

本发明涉及硅舟领域，特别地，涉及一种降低硅片损伤的硅舟，包括平行且对向设置的法兰和天板，所述法兰和天板之间设有沟棒，所述沟棒的内侧设有用于承托硅片的沟齿；所述沟棒至少设有三根，包括两根前沟棒和一根后沟棒，所述前沟棒的截面形状为7字形，所述前沟棒上的沟齿作为7字形的上半部分，所述前沟棒本体作为7字形的下半部分；三根所述沟棒上的相应沟齿在同一平面形成硅片容置槽，两根前沟棒本体之间的最短连线长度大于硅片的直径，两根前沟棒的沟齿之间的最短连线长度小于硅片的直径;本发明目的是克服现有技术的不足而提供一种降低硅片损伤的硅舟，可缩小硅舟的开口处两沟棒对硅片的支撑点之间的间距，进而减小硅片外圈在高温下的坍塌形变量。

技术领域

本发明涉及硅舟领域，特别地，涉及一种降低硅片损伤的硅舟。

背景技术

硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片热处理是半导体器件或电路加工过程中一个重要的工序，热处理包含CVD、氧化、扩散、退火等众多工艺，占据了集成电路制程工艺的大部分。而这时候就需要一种装载半导体硅片的载体，将半导体硅片放在载体上，再放入热处理炉进行处理。

现有技术中，承载硅片的硅舟通常采用高纯度的石英或碳化硅制作。但石英舟作为硅片的载体时，在超过1000℃的处理温度下，长时间使用可能就会变形软化，并且其热胀冷缩系数明显不一致，在升温和降温时会出现冷点，导致晶格的塌失，形成晶粒错位，从而影响硅片质量。而对于碳化硅舟来说，随着硅片尺寸的增大，生产工艺的要求也越来越苛刻，碳化硅舟渐渐无法满足苛刻的生产工艺。而高纯度硅质舟其在高温下具有良好的稳定性，拥有与硅片相同的材质可以降低升降温时应力差带来的晶格缺陷；但即便如此，高温环境下，硅片外圈在高温下依旧容易坍塌变形，通过缩小硅片外圈的支撑点的间距可减弱硅片外圈的坍塌变形情况；但是，由于硅片通常自硅舟的两沟棒之间的开口处插置于硅舟的沟棒之间，因此沟棒之间的最小直线距离应大于硅片的直径，使得开口处的两沟棒之间的间距无法进一步缩小。因此如何设计一种降低硅片损伤的硅舟，可缩小硅舟的开口处两沟棒对硅片的支撑点之间的间距，进而减小硅片外圈在高温下的坍塌形变量成为了亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明目的是克服现有技术的不足而提供一种降低硅片损伤的硅舟，可缩小硅舟的开口处两沟棒对硅片的支撑点之间的间距，进而减小硅片外圈在高温下的坍塌形变量。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种降低硅片损伤的硅舟，包括平行且对向设置的法兰和天板，所述法兰和天板之间设有沟棒，所述沟棒的内侧设有用于承托硅片的沟齿；

所述沟棒至少设有三根，包括两根前沟棒和一根后沟棒，所述前沟棒的截面形状为7字形，所述前沟棒上的沟齿作为7字形的上半部分，所述前沟棒本体作为7字形的下半部分；

三根所述沟棒上的相应沟齿在同一平面形成硅片容置槽，两根前沟棒本体之间的最短连线长度大于硅片的直径，两根前沟棒的沟齿之间的最短连线长度小于硅片的直径,硅片插入对应的硅片容置槽并搁置于沟齿上。

较之现有技术，本发明的优点在于：

本发明在使用时，利用机械手使硅片从两根前沟棒之间插入硅片容置槽的内部并搁置于沟齿上，为了确保硅片顺利进入硅片容置槽的内部，两根前沟棒本体之间的最短连线距离的最小值即为硅片直径；