[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法在审

专利信息
申请号: 202211433564.5 申请日: 2022-11-16
公开(公告)号: CN116137168A 公开(公告)日: 2023-05-19
发明(设计)人: 全莹根;柳炯硕;郑宰镛;崔炳镕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/34
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 方成;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 装置 操作方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器装置,包括:

存储器单元阵列,包括分别连接到多条字线的多个存储器单元;

多个第一传输晶体管,每个第一传输晶体管连接到所述多条字线中的一条字线的一侧;

多个第二传输晶体管,每个第二传输晶体管连接到所述多条字线中的一条字线的另一侧;

电压生成器,被配置为:生成多个操作电压,并且将所述多个操作电压施加到存储器单元阵列;

响应于第一开关控制信号,第一开关电路被配置为:将所述多个第一传输晶体管连接到电压生成器,并且通过所述多个第一传输晶体管中的相应的第一传输晶体管将所述多个操作电压中的相应的第一电压施加到所述多条字线中的一条字线的一侧;并且

响应于第二开关控制信号,第二开关电路被配置为:将所述多个第二传输晶体管连接到电压生成器,并且通过所述多个第二传输晶体管中的相应的第二传输晶体管将所述相应的第一电压施加到所述多条字线中的一条字线的另一侧。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,存储器单元阵列还包括:分别连接到多条地选择线的多个地选择晶体管和分别连接到多条串选择线的多个串选择晶体管,并且

其中,所述非易失性存储器装置还包括:

多个第三传输晶体管,每个第三传输晶体管连接到所述多条地选择线中的一条地选择线的一侧或所述多条串选择线中的一条串选择线的一侧;

多个第四传输晶体管,每个第四传输晶体管连接到所述多条地选择线中的一条地选择线的另一侧或所述多条串选择线中的一条串选择线的另一侧;

响应于第一开关控制信号,第三开关电路被配置为:

将所述多个第三传输晶体管连接到电压生成器,

通过所述多个第三传输晶体管中的相应的第三传输晶体管,将所述多个操作电压中的相应的第二电压施加到所述多条地选择线中的一条地选择线的一侧,并且

通过所述多个第三传输晶体管中的相应的第三传输晶体管,将所述多个操作电压中的相应的第三电压施加到所述多条串选择线中的一条串选择线的一侧;并且

响应于第二开关控制信号,第四开关电路被配置为:

将所述多个第四传输晶体管连接到电压生成器,

通过所述多个第四传输晶体管中的相应的第四传输晶体管,将所述相应的第二电压施加到所述多条地选择线中的一条地选择线的另一侧,并且

通过所述多个第四传输晶体管中的相应的第四传输晶体管,将所述相应的第三电压施加到所述多条串选择线中的一条串选择线的另一侧。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,第一开关电路被配置为根据第一开关控制信号被启用,使得第一开关电路将所述多个第一传输晶体管连接到电压生成器,并且

其中,第二开关电路被配置为根据第二开关控制信号被启用,使得第二开关电路将所述多个第二传输晶体管连接到电压生成器。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,存储器单元阵列还包括分别连接到多条虚设字线的多个虚设存储器单元,并且

其中,所述非易失性存储器装置还包括:

多个第三传输晶体管,每个第三传输晶体管连接到所述多条虚设字线中的一条虚设字线的一侧;

多个第四传输晶体管,每个第四传输晶体管连接到所述多条虚设字线中的一条虚设字线的另一侧;

响应于第一开关控制信号,第三开关电路被配置为:将所述多个第三传输晶体管连接到电压生成器,并且通过所述多个第三传输晶体管中的相应的第三传输晶体管将所述多个操作电压中的相应的第二电压施加到所述多条虚设字线中的一条虚设字线的一侧;并且

响应于第二开关控制信号,第四开关电路被配置为:将所述多个第四传输晶体管连接到电压生成器,并且通过所述多个第四传输晶体管中的相应的第四传输晶体管将所述相应的第二电压施加到所述多条虚设字线中的一条虚设字线的另一侧。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的非易失性存储器装置,还包括:

检测器,具有连接到第一节点的一侧和连接到第二节点的另一侧,并且检测器被配置为输出检测信号,第一节点在第一开关电路与所述多条字线中的每条的一侧之间,第二节点在第二开关电路与所述多条字线中的每条的另一侧之间。

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